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J-GLOBAL ID：202202287728344515   整理番号：22A0949190

両極性黒リンに基づく二重電気変調を有するフレキシブルシナプスフローティングゲートデバイス【JST・京大機械翻訳】

Flexible synaptic floating gate devices with dual electrical modulation based on ambipolar black phosphorus

著者 (7件)： Xiong Xiong (School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Xin (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Hu Qianlan (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Li Xuefei (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wu Yanqing (School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wu Yanqing (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wu Yanqing (Frontiers Science Center for Nano-Optoelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： iScience  (iScience)
巻： 25  号： 3  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5512A  ISSN： 2589-0042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元van der Waals材料はシナプスデバイスに対して様々な可能性を提供し,知的およびエネルギー効率の良い計算の要求を満たす。しかし,堅牢なフレキシブルシナプストランジスタに関する非常に少ない研究が報告されているが,それはソフトロボットおよびウェアラブル応用に対して大きな可能性を有する。ここでは,フレキシブル基板上の両極性ブラックリン(BP)に基づく浮遊ゲートシナプスデバイスを2つの動作モードにより実証した。キャリアが浮遊ゲートに注入された3端子モードは不揮発性メモリ効果を示したが,2端子モードは準非揮発性メモリ効果を示した。注目すべきことに,3端子モードで動作するシナプスデバイスは,~10nsまでの高速ゲート電圧応答を有するサブfJ/スパイクのエネルギー効率の良い計算において優れた性能を示した。さらに,柔軟なシナプスデバイスは,約0.63%の歪で5000の曲げサイクルの下で良好な耐久性を示し,低いエネルギー消費の柔軟な神経形態応用における大きな可能性を示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *極性 ,  電圧 ,  トランジスタ ,  *シナプス ,  耐久性 ,  二次元 ,  不揮発性メモリ ,  *黒リン ,  ロバスト性 ,  *フローティングゲート ,  運転モード ,  フレキシブル基板 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： ウェアラブル ,  両極性 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電気工学 ,  ナノ材料 ,  デバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 両極性 ,  黒リン ,  変調