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J-GLOBAL ID:202202287888725650   整理番号:22A0287307

通信波長での光電子集積のためのSi_2Te_3光検出器【JST・京大機械翻訳】

Si2Te3 Photodetectors for Optoelectronic Integration at Telecommunication Wavelengths
著者 (5件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: ROMBUNNO.3803307.1-7  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オンチップ統合の可能性をもつ高性能二次元(2D)光検出器は通信応用に対して望まれる。1310nmと1550nmの光照明の波長下の平面シリコンテルル化物光検出器(Si_2Te_3)の光応答を示した。バックゲートフォトトランジスタを作製するために機械的に剥離した多層Si_2Te_3を利用した。約50nmのSi_2Te_3フラック厚さを有するデバイスは,0.36cm2V-1s-1の正孔移動度と170.5AW-1(0.35μW)の光応答性と1310nmと1550nm励起での12.1AW-1(0.25μW)を示した。さらに,2つの異なる金属接触(Au/CrとAl/Ti)を有するデバイスの周波数応答を試験した。デバイスは,1.6MHzの3dB帯域幅のAu/Cr金属接触で中程度の広帯域応答を示し,一方,3.8MHz帯域幅はAl/Ti金属接触で実現した。また,Si導波路上に不均一に集積したSi_2Te_3光検出器のプロトタイプを実証した。導波路の伝送損失を積分の前後に測定した。結果は,光信号の減衰が1310nmと1550nmの波長でそれぞれ24.3dBと18dBであり,これは材料誘起損失に起因することを示した。これらの知見は,Si_2Te_3が光通信光検出のための有望な2D半導体材料であることを示唆する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
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