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J-GLOBAL ID：202202287893692131   整理番号：22A0857059

リチウムイオン電池のアノード材料としての高性能窒素ドープSi/C【JST・京大機械翻訳】

High Performance Nitrogen-Doped Si/C as the Anode Material of Lithium-Ion Batteries

著者 (6件)： Jin Ying (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China) ,  Yuan An (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China) ,  Jin Xin (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China) ,  Tan Lian (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China) ,  Tang Hao (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China) ,  Sun Runguang (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, China)
資料名： Russian Journal of Electrochemistry  (Russian Journal of Electrochemistry)
巻： 58  号： 2  ページ： 136-142  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4917A  ISSN： 1023-1935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リチウムイオン電池(LIB)の分野における電極材料の大規模合成は合成技術に大きく依存している。本論文では,Nドープ炭素被覆シリコン(Si/C)材料を合成する容易な経路を開発した。その際に,市販のSiフレークを,炭素源としてのアスファルトおよび窒素源としてのドーパミンを用いてボールミル処理し,次に,N-ドープSi/C材料を得るために,不活性アトモスフェア中で炭化した。結果として,NドープSi/C材料は,200mA g-1の電流密度で,非ドープSi/Cよりも,2265.1mA h g-1のより良いサイクル安定性と僅かに高い初期充電容量を達成した。50サイクル後,1359.1mA h g-1の充電容量を保持し,Si/C試料(994.4mA h g-1)に比べて36.7%の容量増強を示した。さらに,Siベース材料の速度性能はNドーピングによって効果的に改善された。Nドープ炭素層がLiイオン拡散を容易にすることができると説明できる。全体として,簡単な技術で得られたNドープSi/C材料は,アノード材料として高いエネルギー密度LIB応用に有望である。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2022. ISSN 1023-1935, Russian Journal of Electrochemistry, 2022, Vol. 58, No. 2, pp. 136-142. Copyright Pleiades Publishing, Ltd., 2022. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *リチウム ,  アスファルト ,  *ドーピング ,  イオン拡散 ,  電流密度 ,  電極材料 ,  エネルギー密度 ,  電池容量 ,  *リチウムイオン電池 ,  カテコールアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 炭素源 ,  *アノード材料【電池】 ,  窒素源 ,  *窒素ドーピング ,  充電容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： リチウムイオン電池 ,  アノード材料 ,  Nドーピング ,  炭素コーティング ,  Si/C

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

物質索引 (1件)： ドーパミン

タイトルに関連する用語 (5件)： リチウムイオン電池 ,  アノード材料 ,  高性能 ,  窒素ドープ ,  Si