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J-GLOBAL ID：202202287894271692   整理番号：22A0156812

SrRuO_3シード層上のBaTiO_3薄膜の改善された誘電率と漏れ電流特性【JST・京大機械翻訳】

Improved dielectric constant and leakage current characteristics of BaTiO₃ thin film on SrRuO₃ seed layer

著者 (3件)： Ko Eun Chong (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University of Science and Technology, Seoul 01811, Republic of Korea) ,  Kang Wangu (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University of Science and Technology, Seoul 01811, Republic of Korea) ,  Han Jeong Hwan (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University of Science and Technology, Seoul 01811, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 895  号： P1  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層セラミックキャパシタまたは動的ランダムアクセスメモリのような応用のための高kBaTiO_3(BTO)膜の製作を,堆積後アニーリング(PDA)による非晶質BTOのペロブスカイト構造へのex-situ結晶化により達成した。しかし,700°Cを超える温度での高温PDAはBTO特性の厳しい劣化をもたらす。言い換えれば,PDAによるex-situ結晶化は,誘電率の増加をもたらすが,粗い表面形態とボイドや亀裂のような欠陥に起因する劣った漏れ電流特性を伴う。本研究では,シード層として高品質SrRuO_3(SRO)膜を導入することによりBTO膜のその場結晶化を実証した。SRO膜を27~350°Cでrfマグネトロンスパッタリングを用いて堆積し,化学量論SRO膜を成長温度を制御してSiO_2,Al_2O_3,および窒化チタン基板上に得た。続いて,700°Cでの急速熱アニーリングを行い,SRO膜を結晶化した。窒化チタン基板上の多結晶SRO膜は,連続で平滑な表面と同様に均一な結晶粒を有する優れた形態を示し,一方,SiO_2とAl_2O_3基板上のSRO膜は粗く不連続な表面を示す。窒化チタン上のSROシード層は500°Cの比較的低い温度で結晶BTO膜のin-situ成長を可能にし,これは,裸の窒化チタン上のex-situ結晶化BTO膜に比べて,それぞれ2.2と3.4×107倍改善された,0.8Vで,高い誘電率160と,9.5×10-7A/cm2の低い漏れ電流密度を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  結晶化 ,  高温 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  *誘電率 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  磁器コンデンサ ,  *漏れ電流 ,  結晶粒 ,  不連続性 ,  DRAM
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BaTiO_3 ,  SrRuO_3 ,  Rfマグネトロンスパッタリング ,  その場結晶化 ,  誘電定数 ,  漏れ電流密度

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シード層 ,  薄膜 ,  誘電率 ,  漏れ電流