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J-GLOBAL ID：202202287905750731   整理番号：22A0203273

単一走行キャリアフォトダイオード:開発と展望【JST・京大機械翻訳】

Uni-Traveling Carrier Photodiodes: Development and Prospects

著者 (2件)： Ishibashi Tadao (NTT Electronics Techno Corporation, Atsugi, Kanagawa, Japan) ,  Ito Hiroshi (Center for Natural Sciences Kitasato University Graduate School of Medical Sciences, Kitasato University, Sagamihara, Japan)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3803006.1-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去25年間にわたる単一移動キャリアフォトダイオードの開発について簡単にレビューし,それらの構造における重要な設計を論じた。p型InGaAs構造で局所的に励起された少数電子に対するモンテカルロシミュレーションは,それらが吸収し,吸収器を如何に振舞うかを明らかにした。これは,適度に高い準場でさえ,電子の非常に拡散的な性質を示す。出力線形性を,実験THz波出力対動作電流に基づいて注意深く検証した。厳しい磁場崩壊前の飽和の第一段階は,動作電流によって直線的に変化する空間電荷密度によって,支配されることが示された。より速い操作のためのUTC-PDのスケールダウンにおいて,空間電荷効果は顕著ではないが,接合自己加熱は制限を課す因子である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  接合 ,  電流 ,  線形性 ,  吸収装置 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  モンテカルロシミュレーション ,  *UTC-PD ,  自己加熱 ,  スケールダウン ,  空間電荷効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単一走行キャリアフォトダイオード ,  開発 ,  展望