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J-GLOBAL ID：202202288233111096   整理番号：22A0438139

オプトエレクトロニクス応用のためのTe_81Ge_15Bi_4カルコゲナイドガラス薄膜の線形および非線形光学分散パラメータ【JST・京大機械翻訳】

Linear and non-linear optical dispersion parameters of Te₈₁Ge₁₅Bi₄ chalcogenide glass thin films for optoelectronic applications

著者 (3件)： El-Metwally E.G. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Cairo, 11566, Egypt) ,  Hegab N.A. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Cairo, 11566, Egypt) ,  Mostfa M. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Cairo, 11566, Egypt)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 626  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Te_81Ge_15Bi_4のカルコゲン化物組成を,バルク型における溶融急冷法,および薄膜形における熱蒸着法によって作製した。調べた組成の非晶質性をX線回折(XRD)分析によって調べた。調製した膜試料の実際の百分率をエネルギー分散X線(EDX)分光法により調べた。143nmから721nmまでの厚さ範囲で調べた膜の透過率T(λ)をスペクトル範囲(400~2500nm)で測定した。Swanepoel法を用いて,透過率T(λ)データから線形光学パラメータ(屈折率(n)と吸収指数(k))を計算した。nとkの両方が研究した範囲を通して膜厚に依存しないことが分かった。許容遷移のタイプを調べ,Taucの外挿手順とUrbachテールを用いて,光学エネルギーバンドギャップ(Egopt)と光吸収端(E_e)がそれぞれ0.652eVと0.089eVに等しい間接許容遷移であることが分かった。Te_81Ge_15Bi_4膜試料の光学伝導率σ_optは入射光子エネルギー(hν)の増加と共に増大した。光学分散パラメータ(E_oとE_d),高周波誘電率ε_λ,平均振動子強度S_s,格子誘電定数ε_L,自由荷電キャリア濃度と有効質量N/m*の比を屈折率結果の解析から求めた。誘電率ε_1,誘電損失ε_2,散逸因子tanδ,緩和時間τ,体積エネルギー損失(VELF)および表面エネルギー損失(SELF)関数に関連した他のパラメータは,調べた全ての膜に対して光子エネルギー(hν)への依存性を示した。非線形光学感受率と屈折n2の非線形指数も線形分散パラメータを用いて計算した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  屈折 ,  屈折率 ,  電荷 ,  *薄膜 ,  光吸収 ,  *非線形光学 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  スペクトル ,  急冷 ,  *オプトエレクトロニクス ,  透過率 ,  有効質量 ,  損失正接

著者キーワード (5件)： 非晶質半導体 ,  カルコゲナイドガラス ,  光学的分散パラメータ ,  三次感受率 ,  線形および非線形光学

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  カルコゲナイドガラス ,  薄膜 ,  線形 ,  非線形 ,  光学分散 ,  パラメータ