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J-GLOBAL ID:202202288275787289   整理番号:22A0807757

多孔質およびナノ結晶立方晶炭化ケイ素における二空孔の光ルミネセンススペクトル【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence spectrum of divacancy in porous and nanocrystalline cubic silicon carbide
著者 (5件):
資料名:
巻: 131  号:ページ: 071102-071102-8  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素(SiC)中の二空孔は,室温で比較的強い蛍光と光学的に検出される磁気共鳴コントラスト(ODMR)を持つ顕著な固体欠陥量子ビットである。これらの特性は,生体分子の量子センシングのためにそれを例証した。この目的のために,著者らは以前に,非摂動ODMRバイオマーカーとして立方晶SiCナノ粒子(NP)における二空性を生成するためのトップダウン法を開発した。このプロセスでは,大きなSiC粒子を合成し,次に,多孔性SiCを形成するためにエッチングし,次に,超音波処理とフィルタリングを,数ナノメートル直径のSiC NPを抽出するために溶液に適用した。このプロセスを非光子励起子発生化学(NPEGEC)と呼ぶ。立方晶SiCの合成過程で炭素とシリコンにアルミニウムを添加することにより,NPEGECによりSiC NP中に二空孔欠陥を加工できることを示した。SiC格子に空格子点を導入するための代替の伝統的方法は照射である。ここでは,SiC NPにおける多孔質立方晶SiCおよびNPEGEC技術における中性子照射によって創製された二空の蛍光スペクトルを比較し,その結果を第一原理計算によって詳細に解析した。照射法は,SiC NPの二空格子点よりも,残留バックグラウンド蛍光を有する蛍光スペクトルの大きなシフトを生じ,これは,前者試料中の照射とアニーリング後に残った寄生欠陥に起因する可能性が高いことを見出した。これらの結果は,数ナノメートルのSiC NPの二空孔性を調製するために適用した化学技術が,表面近傍の二空孔量子ビットのバルク様品質を維持するかもしれないことを意味する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 

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