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J-GLOBAL ID:202202288529745986   整理番号:22A0571317

過剰ビスマスドープニオブ酸ストロンチウムビスマスセラミックの伝導機構【JST・京大機械翻訳】

Conduction mechanism in excess Bismuth doped Strontium Bismuth Niobate ceramics
著者 (9件):
資料名:
巻: 307  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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過剰なビスマスドーピング(0%wt-20%wt)を有するストロンチウムビスマスNiobateセラミックを固相反応法を用いて調製した。X線回折研究は,ビスマス含有量が5wt%まで増加すると,c軸配向の減少を明らかにし,それを超えると増加する。誘電研究を室温と高温で行った。強誘電特性は,過剰なビスマスドーピングである程度(5%)改善し,熱処理中のビスマス損失の補償を示した。温度依存dc伝導率研究を行い,Stronium ビスマス Niobateにおける外因性および固有伝導機構を説明する試みを行った。低温領域では,活性化エネルギーは非常に低く(0.08eV-0.16eV),これは固有欠陥の導入によって(1.07eV-1.14eV)増加した。ストロンチウムビスマスNiobate中の過剰なビスマスドーピングによる詳細な伝導機構を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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塩  ,  その他の無機化合物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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