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J-GLOBAL ID：202202288559312342   整理番号：22A0958721

SRAM物理的非クローン性機能に対する総電離線量の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of Total Ionizing Dose on SRAM Physical Unclonable Functions

著者 (6件)： Lawrence S. P. (Electrical Engineering Department, The University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga, TN, USA) ,  Smith S. C. (Electrical Engineering Department, The University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga, TN, USA) ,  Cannon J. M. (Department of Aerospace Engineering Sciences, University of Colorado Boulder, Boulder, CO, USA) ,  Carpenter J. L. (Electrical Engineering Department, The University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga, TN, USA) ,  Reising D. R. (Electrical Engineering Department, The University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga, TN, USA) ,  Loveless T. D. (Electrical Engineering Department, The University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 349-358  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販のSRAMのX線と陽子照射により,静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)の物理的非クローニング機能(PUF)に対する全イオン化線量(TID)の影響を研究した。分数Hamming重量(FHW)の負のシフトをTIDの増加で測定し,双安定細胞の論理低への移動を示した。さらに,ダイ内分数Hamming距離(FHD)の正のシフトを測定し,TIDによるSRAM PUFの仮想指紋への変化を示し,特に,データを保持しながら線量をつけたデバイスにおいて,TIDによるSRAM PUFの仮想指紋への変化を示した。ダイ間のFHDのシフトは無視でき,個々のSRAMは,中程度の量のTID後でさえ,既知と未知試料間のFHDに基づいて容易に同定できた。いくつかの場合,SRAMは,デバイスが失敗したあと,それらのPUFsによってまだ同定できた。すべての場合,照射されたSRAMデバイスはアニーリングによる回復後にそれらの仮想指紋を保持した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  陽子照射 ,  *放射線量 ,  電離放射線 ,  指紋 ,  双安定性 ,  効果 ,  *SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  Hamming距離
準シソーラス用語： クローニング ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： SRAM ,  物理 ,  クローン性 ,  総電離線量