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J-GLOBAL ID：202202288584751142   整理番号：22A0388448

6隔壁MnBi_2Te_4におけるゲート調整可能な磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Gate-tunable magnetoresistance in six-septuple-layer MnBi₂Te₄

著者 (12件)： Li Yaoxin (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Liu Chang (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Liu Chang (Beijing Academy of Quantum Information Sciences, Beijing 100193, People’s Republic of China) ,  Wang Yongchao (Beijing Innovation Center for Future Chips, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Li Hao (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Li Hao (Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Research Center, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wu Yang (Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Research Center, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wu Yang (Department of Mechanical Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Zhang Jinsong (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Zhang Jinsong (Frontier Science Center for Quantum Information, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wang Yayu (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wang Yayu (Frontier Science Center for Quantum Information, Beijing 100084, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 10  ページ： 104001 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近発見された反強磁性トポロジー絶縁体MnBi_2Te_4は,アキシオン絶縁体やチェルン絶縁体のような多くのエキゾチックトポロジー量子相をホストする。ここでは,6セプタプル層MnBi_2Te_4における系統的ゲート電圧依存性磁気輸送研究について報告する。p型キャリア領域では,MnBi_2Te_4が面外磁場により強磁性状態で分極するとき,正の線形磁気抵抗(MR)を観測した。n型領域では,明確な負のMR挙動が観察された。両領域における磁気抵抗の挙動はNeel温度までの温度に対して非常にロバストである。反強磁性領域内で,MRの挙動はゲート電圧の制御下で負から正に遷移を示した。MR相図の境界は,スピンフロップ遷移の過程を特徴付けるゲート電圧に依存しない磁場によって明確にマークできる。豊富な輸送現象は,MnBi_2Te_4におけるトポロジー,磁性および次元間の複雑な相互作用を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  強磁性 ,  磁場 ,  *磁気抵抗 ,  状態図 ,  相互作用 ,  反強磁性 ,  輸送現象 ,  スピンフロップ ,  磁性 ,  ロバスト性 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 隔壁 ,  ゲート ,  磁気抵抗