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J-GLOBAL ID：202202288757687180   整理番号：22A0691923

原子的に薄い遷移金属ジカルコゲナイドにおける[数式:原文を参照]対称高次トポロジカル結晶絶縁体【JST・京大機械翻訳】

[Formula : see text]-symmetric higher-order topological crystalline insulators in atomically thin transition metal dichalcogenides

著者 (4件)： Qian Shifeng (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China and Beijing Key Lab of Nanophotonics & Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing I...) ,  Liu Gui-Bin (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China and Beijing Key Lab of Nanophotonics & Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing I...) ,  Liu Cheng-Cheng (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China and Beijing Key Lab of Nanophotonics & Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing I...) ,  Yao Yugui (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China and Beijing Key Lab of Nanophotonics & Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing I...)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 4  ページ： 045417  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算と対称性解析に基づいて,原子的に薄い([数式:原文を参照]層)[数式:原文を参照]基-VIB遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)[数式:原文を参照](M=Mo,W;X=S,Se,Te)は,[数式:原文を参照]回転対称性によって保護された大きなギャップ高次トポロジー結晶絶縁体(HOTCI)である。著者らは,HOTCI状態の実験検証と探索を容易にする,大きなバルク光バンドギャップ(単分子層に対する[数式:原文を参照])を有するこれらのよく知られたTMDに対する量子化分数電荷を有する,非自明なトポロジー指数と特徴コーナー状態の存在を明確に実証した。さらに,原子的に薄い([数式:原文を参照]層)[数式:原文を参照]基-VIB TMDのアームチェアエッジを有する三角形有限サイズのフレークに明確なコーナー状態が存在し,対応する量子化分数電荷が層Nモジュロ3の数であることを見いだした。スピン自由度を考慮した場合,分数コーナー電荷は二倍になる。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *対称性 ,  電荷 ,  量子化 ,  単分子層 ,  フレーク ,  分数電荷 ,  分数 ,  フォトニックバンドギャップ ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  回転対称性 ,  実験検証 ,  スピン自由度 ,  トポロジカル結晶絶縁体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  数式 ,  参照 ,  対称 ,  トポロジカル結晶絶縁体