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J-GLOBAL ID：202202288892177896   整理番号：22A0924607

高い熱境界コンダクタンスを持つGaNオンダイヤモンドデバイスのための新しい戦略【JST・京大機械翻訳】

A novel strategy for GaN-on-diamond device with a high thermal boundary conductance

著者 (20件)： Mu Fengwen (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xu Bin (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Wang Xinhua (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Xinhua (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Xinhua (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Gao Runhua (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Huang Sen (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Huang Sen (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Huang Sen (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wei Ke (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Takeuchi Kai (Collaborative Research Center, Meisei University, Hino-shi, Tokyo 191-8506, Japan) ,  Chen Xiaojuan (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Yin Haibo (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Dahai (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Yu Jiahan (Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Suga Tadatomo (Collaborative Research Center, Meisei University, Hino-shi, Tokyo 191-8506, Japan) ,  Shiomi Junichiro (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Liu Xinyu (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Xinyu (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Liu Xinyu (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 905  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)ベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)に対する高いデバイス性能と高信頼性を達成するためには,効率的な熱放散が重要であるが,挑戦的なままである。接合によって高い熱伝導率を有するダイヤモンド基板上にGaNデバイス層を移すために,異常な努力がなされてきた。本研究では,異なる厚さ(15nmと22nm)のシリコン中間層を用いて,室温で改質表面活性化結合(SAB)により2つのGaN-ダイヤモンド結合複合材料を作製した。800°Cでのポストアニーリングプロセスの前後に,中間層とGaN層の応力を含む接合界面を横切る熱境界コンダクタンス(TBC)を,それぞれ時間領域熱反射とRaman分光法により調べた。接合したままの試料の場合,15nmのSi中間層(32.4MW/m2K)のTBCは22nm(28.0MW/m2K)より高かった。しかし,焼鈍後,15nmのSi中間層(71.3MW/m2K)のTBCは22nm(85.9MW/m2K)のそれより低くなり,これはアニーリングが界面TBCを改善するより厚い中間層に対して特に有効であるためである。得られた応力はアニーリングの前後の両方で230MPa未満であり,この高い熱安定性は室温ボンディングがさらなるエピタキシャル成長またはデバイスプロセスに適したGaN-オン-ダイヤモンドテンプレートを実現できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応力 ,  界面 ,  焼なまし ,  接合 ,  熱伝導率 ,  熱放射 ,  *ダイヤモンド ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  Raman分光法 ,  HEMT ,  *コンダクタンス
準シソーラス用語： 接合界面 ,  高信頼性 ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱境界抵抗 ,  異種統合 ,  室温接合 ,  GaNオンダイヤモンド ,  TDTR

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 境界 ,  コンダクタンス ,  GaN ,  戦略