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J-GLOBAL ID：202202288995858741   整理番号：22A1162824

Ptでキャップした化学堆積エピタキシャルLa_0.9MnO_3薄膜におけるスピンから電荷への変換【JST・京大機械翻訳】

Spin to charge conversion in chemically deposited epitaxial La_0.9MnO₃ thin films capped with Pt

著者 (9件)： Martin-Rio Sergi (Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB), CSIC, Spain. [e-mail]) ,  Pomar Alberto ,  Frontera Carlos ,  Wang Hailin ,  Manzorro Ramon ,  Magen Cesar ,  Balcells Lluis ,  Mestres Narcis ,  Martinez Benjamin
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 15  ページ： 5914-5921  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマー支援堆積(PAD)により調製したLa_0.92MnO_3/Pt二分子層において,広い温度範囲でのスピンから電荷への変換プロセスを研究した。優れたLMO/Pt界面がPt層のex situ堆積の使用にもかかわらず得られることを示した。有効スピン混合コンダクタンス,g=0.76×1015cm-2に対して得られた値は,LMO/Pt界面を横切る顕著なスピン輸送を達成できることを示唆した。スピンポンピング実験は逆スピンHall効果によるスピンから電荷への変換により横電圧信号V_ISHEを生成し,約2.5%のスピン-Hall角,θ_SHの値で約100Kまで検出され,解析した温度範囲で温度の低下でわずかに減少した。これらの結果は,LMOが,全酸化物多機能高周波スピントロニクスデバイス用の有望なペロブスカイト構築ブロックであり,PAD技術がスピントロニクス応用に適した良好な品質の酸化物エピタキシャル薄膜を提供することを示した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  温度 ,  界面 ,  *薄膜 ,  *白金 ,  酸化物 ,  二分子層 ,  HF【周波数】 ,  コンダクタンス ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  スピン輸送 ,  多機能 ,  スピンポンピング ,  逆スピンHall効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の液晶  (BK03030H)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pt ,  キャップ ,  化学 ,  堆積 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  スピン ,  電荷