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J-GLOBAL ID：202202289130363142   整理番号：22A0625130

高いキャリア移動度を持つダイヤモンドエレクトロニクス【JST・京大機械翻訳】

Diamond electronics with high carrier mobilities

著者 (2件)： Tordjman Moshe (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Tordjman Moshe (Solid State Institute and Physics Department, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel)
資料名： Nature Electronics  (Nature Electronics)
巻： 5  号： 1  ページ： 21-22  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4776A  ISSN： 2520-1131  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素終端ダイヤモンドと六方晶窒化ホウ素のヘテロ接合に基づく電界効果トランジスタは,680cm2V-1s-1の高い表面キャリア移動度を提供できる。Copyright Springer Nature Limited 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *キャリア移動度 ,  *ダイヤモンド ,  FET【トランジスタ】 ,  *電子技術 ,  窒化ホウ素
準シソーラス用語： 水素終端 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： キャリア移動度 ,  ダイヤモンド ,  エレクトロニクス