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J-GLOBAL ID:202202289146552104   整理番号:22A1100914

OTFTベース水素センサに及ぼすソース/ドレイン触媒金属と製造法の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Source/Drain Catalytic Metal and Fabrication Method on OTFT-Based Hydrogen Sensor
著者 (3件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 2038-2042  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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有機薄膜トランジスタ(OTFT)ベースの水素センサのセンシング特性に及ぼすソース/ドレイン(S/D)触媒金属(Pd,Pt,Ni)と作製法(スパッタリングと電子ビーム蒸着)の影響を調べた。Pd中のH_2の最も高い溶解度は,S/D電極としてPdによるセンサの最も高い感度に寄与した。NiはPtより高いH_2溶解度を持つが,Ni S/D電極を有するデバイスは異なる触媒金属を有する3つのデバイスの中で最も低い感度を有する。これは,PdおよびPt上よりも,Ni上の水素の化学吸着のより化学吸着した酸素,より高いヒドロキシル形成速度,およびより低い熱に起因するはずである。これらの全ては,水素のより低い表面被覆率,従って,Ni電極に対する水素のより少ない触媒解離をもたらした。さらに,自然酸化物層が室温で湿潤空気中でNi表面に形成され,Ni上の水素吸着を阻害する。他方,スパッタリングにより作製した触媒金属を有する3つのデバイスは,Eビーム蒸着時に発生するより大きな熱負荷がより高い熱応力をもたらし,その結果,感度を低下させるために金属接触が不良になるため,Eビーム蒸着によって作られたそれらの対応物より高い感度を有することを実証した。最後に,S/D電極におけるより高い熱応力と貧弱なS/D接触の両方がセンサの応答時間を増加させることを実証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  ダイオード  ,  その他の固体デバイス  ,  トランジスタ 

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