文献

J-GLOBAL ID：202202289161629066   整理番号：22A1047574

MoS_2の有望な接触としての2D-Mo_3S_4相【JST・京大機械翻訳】

2D-Mo₃S₄ phase as promising contact for MoS₂

著者 (9件)： Sukhanova E.V. (Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, 119334, 4 Kosigin st., Moscow, Russia) ,  Kvashnin A.G. (Skolkovo Institute of Science and Technology, Skolkovo Innovation Center 121205, Bolshoy Boulevard 30, bld. 1, Moscow, Russia) ,  Bereznikova L.A. (Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, 119334, 4 Kosigin st., Moscow, Russia) ,  Bereznikova L.A. (Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), 9 Institutskiy per., Dolgoprudny, Moscow Region 141701, Russia) ,  Zakaryan H.A. (Yerevan State University, 1 Alex Manoogian st., Yerevan, Armenia) ,  Aghamalyan M.A. (Yerevan State University, 1 Alex Manoogian st., Yerevan, Armenia) ,  Kvashnin D.G. (Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, 119334, 4 Kosigin st., Moscow, Russia) ,  Kvashnin D.G. (Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), 9 Institutskiy per., Dolgoprudny, Moscow Region 141701, Russia) ,  Popov Z.I. (Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, 119334, 4 Kosigin st., Moscow, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 589  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元構造,特に半導体H-MoS_2に対する電極材料の探索は,現代の材料科学にとって重要な問題である。これは準安定構造への興味を刺激し,Bertholideとして知られる非化学量論的準安定状態を探索することを動機づけた。Mo-S系における新しい二次元構造に対する不偏な進化的探索は,相図の低硫黄領域におけるMo_5S_4,Mo_3S_4,およびMoS準安定構造(分解線近傍に位置する)の存在を示した。予測した新しいCm-Mo_3S_4相は,フォノン分散スペクトルの計算により確認された金属特性と動的安定性を示した。その格子定数は,MoS_2に基づくナノデバイスにおける導電性接触としてCm-Mo_3S_4の使用を可能にする半導体H-MoS_2相に類似している。提案したH-MoS_2/Cm-Mo_3S_4横方向ヘテロ構造の研究から,接触領域では,Cm-Mo_3S_4伝導特性の保存と同様に,H-MoS_2エッジ原子の伝導状態への転移が観測された。Cm-Mo_3S_4の主な特徴は,硫黄空孔を有するH-MoS_2単分子層の直接遷移によって構造的に得られることである。結果として,予測したCm-Mo_3S_4相はナノエレクトロニクス素子部品における接触を行うための有望な候補である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空格子点 ,  原子 ,  格子定数 ,  半導体 ,  安定構造 ,  硫黄 ,  準安定状態 ,  *二次元 ,  非化学量論 ,  動的安定性 ,  導電性
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  ナノデバイス ,  直接遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (1件)： 2D