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J-GLOBAL ID：202202289241272147   整理番号：22A0467065

CVD成長ホモエピタキシャルダイヤモンド膜の電気的および光ルミネセンス特性に及ぼすB/N共ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of B/N co-doping on electrical and photoluminescence properties of CVD grown homoepitaxial diamond films

著者 (10件)： Kunuku Srinivasu (Department of Metrology and Optoelectronics, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233, Gdansk, Poland) ,  Ficek Mateusz (Department of Metrology and Optoelectronics, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233, Gdansk, Poland) ,  Wieloszynska Aleksandra (Department of Metrology and Optoelectronics, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233, Gdansk, Poland) ,  Tamulewicz-Szwajkowska Magdalena (Department of Nanometrology, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17 St., 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Gajewski Krzysztof (Department of Nanometrology, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17 St., 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Sawczak Miroslaw (The Szewalski Institute of Fluid-Flow Machinery, Polish Academy of Sciences, 80-231, Gdansk, Poland) ,  Lewkowicz Aneta (Institute of Experimental Physics, Faculty of Mathematics, Physics and Informatics, University of Gdansk, Wita Stwosza 57, 80-952 Gdansk, Poland) ,  Ryl Jacek (Institute of Nanotechnology and Materials Engineering, Gdansk University of Technology, Narutowicza 11/12, 80-233 Gdansk, Poland) ,  Gotszalk Tedor (Department of Nanometrology, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17 St., 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Bogdanowicz Robert (Department of Metrology and Optoelectronics, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233, Gdansk, Poland)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 12  ページ： 125603 (16pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)は,電気および電気化学センシング応用に大きな可能性を有する。成長パラメータ,基質,および合成法は,金属BDDへの半導体BDDの調製に不可欠な役割を果たす。ダイヤモンドへのホウ素(B)と共に他の元素のドーピングは,Bドーピングと例外的な特性の改善効果を示した。本研究では,マイクロ波プラズマ支援化学蒸着プロセスで単結晶ダイヤモンド(SCD)IIaとSCD Ib基板上にBと窒素(N)共ドープダイヤモンドを合成した。CVDダイヤモンドへのB/N共ドーピングを,B/C~2500ppm,5000ppm,7500ppmの3つの異なるB/Cドーピング濃度でN/C~0.02の一定N流量で行った。原子間力顕微鏡トポグラフィーは,低Bドーピングに対して低表面粗さの平坦で滑らかな表面を示し,一方,高いBドーピング濃度では,高い表面粗さを有するヒロック構造や非エピタキシャルダイヤモンド結晶のような表面特徴が観察された。KPFM測定は,仕事関数(4.74~4.94eV)が,異なるB/C濃度で合成したCVDダイヤモンドに対して著しく変化しないことを明らかにした。ラマン分光測定は高品質ダイヤモンドの成長を記述し,光ルミネセンス研究はCVDダイヤモンド層中の高密度窒素空孔中心の形成を明らかにした。X線光電子分光法の結果は,Bドーピングの成功とBドーピング濃度によるNドーピングの増加を確認した。CVDダイヤモンド層(B/C~7500ppm)の室温電気抵抗測定は,CVDダイヤモンド/SCD IIaに対して低抵抗値~9.29Ω,CVDダイヤモンド/SCD Ib試料に対して抵抗値~16.55Ωを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  仕事関数 ,  半導体 ,  *光ルミネセンス ,  *ダイヤモンド ,  流量 ,  *ドーピング ,  電気化学 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： ヒロック ,  *共ドーピング ,  *ダイヤモンド膜 ,  CVDダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： CVD ,  成長 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド膜 ,  光ルミネセンス ,  共ドーピング