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J-GLOBAL ID：202202289414058953   整理番号：22A0156761

RFマグネトロンスパッタリングを用いて作製した高結晶性β-Ga_2O_3膜の光学的および構造的特性評価【JST・京大機械翻訳】

Optical and structural characterization of high crystalline β-Ga₂O₃ films prepared using an RF magnetron sputtering

著者 (3件)： Patil Vijay (Photonic and Electronic Thin Film Laboratory, Chonnam National University, Gwangju, Republic of Korea) ,  Lee Byung-Taek (Photonic and Electronic Thin Film Laboratory, Chonnam National University, Gwangju, Republic of Korea) ,  Jeong Sang-Hun (Gwangju Center, Korea Basic Science Institute, Gwangju, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 894  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリングを用いてサファイア(0001)基板上にβ-Ga_2O_3膜を作製した。高い結晶性を有する高配向β-Ga_2O_3膜を700°C以上でTsで得た。純粋なAr中のスパッタ膜は,低い光学バンドギャップとUVと可視領域の強い光吸収を示し,これは非化学量論,酸素欠損による。β-Ga_2O_3のRamanモードは,400°CのTsで進化し始め,次に,XRD結果と良好な一貫性で,600°C以上のTsで明確に定義され,支配的であった。600°C以上のT_sでのPLスペクトルにおいて,UV発光は3.75eVでピークに達し,広いバンドと鋭いピークから成る赤色発光が優勢であった。これらの発光は,β-Ga_2O_3のPLスペクトルの最初の報告であり,より深いアクセプタ準位で正孔でトラップされた電子に起因する高エネルギー励起子と,それぞれ,深いドナー準位と非局在化/クラスタアクセプタ準位の間の光学遷移に暫定的に割り当てられた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  アクセプタ ,  正孔 ,  発光 ,  光吸収 ,  アルゴン ,  *ガリウム ,  クラスタ ,  サファイア ,  非化学量論
準シソーラス用語： アクセプタ準位 ,  ドナー準位 ,  可視領域 ,  光ルミネセンススペクトル ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スパッタ成長β-Ga_2O_3膜 ,  PL分光法 ,  赤色発光バンド ,  高エネルギー自己捕獲励起子放出 ,  Ga空孔アクセプタ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  高結晶性 ,  光学 ,  構造的特性 ,  評価