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J-GLOBAL ID：202202289419104321   整理番号：22A0441848

InP上に成長させたInリッチInGaAs層の光ルミネセンスに及ぼすキャリア局在化効果の理論的解析【JST・京大機械翻訳】

Theoretical analyses of the carrier localization effect on the photoluminescence of In-rich InGaAs layer grown on InP

著者 (9件)： Ben Arbia Marwa (Laboratoire de Micro-optoelectronique et Nanostructures (LR99ES29), Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’Environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Smiri Badreddine (Laboratoire de Micro-optoelectronique et Nanostructures (LR99ES29), Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’Environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Smiri Badreddine (Universite de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, Toulouse, France) ,  Demir Ilkay (Department of Nanotechnology Engineering and Nanophotonics Research and Application Center, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Saidi Faouzi (Laboratoire de Micro-optoelectronique et Nanostructures (LR99ES29), Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’Environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Saidi Faouzi (Institut Superieur des Sciences Appliques et Technologie de Sousse, Universite de Sousse, Tunisia) ,  Altuntas Ismail (Department of Nanotechnology Engineering and Nanophotonics Research and Application Center, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Hassen Fredj (Laboratoire de Micro-optoelectronique et Nanostructures (LR99ES29), Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’Environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Maaref Hassen (Laboratoire de Micro-optoelectronique et Nanostructures (LR99ES29), Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’Environnement, 5019 Monastir, Tunisia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 140  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自由バッファInGaAs/InP構造を,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によって詳述した。赤外オプトエレクトロニックデバイスのために直接バンドギャップを持つ三元材料のバンドギャップエネルギーを低減するために高いインジウム含有量を選択した。本研究では,InリッチIn_xGa_1-xAs(x=0.65:S_1,x=0.661:S_2,およびx=0.667S_3)試料の温度依存光ルミネセンス(TDPL)分析が中心焦点である。III-V三元系の低温で記録されたS形挙動を,局所状態アンサンブル(LSE)モデルによって定量的に研究した。ルミネセンス対温度の半経験的発展と数値シミュレーションの間の比較は,LSEモデルで使用される計算詳細の妥当性を証明し,S形特徴をよく再現する。数値シミュレーションはPLスペクトルと良く整合し,局在化現象はインジウムモル分率を増加させると強くなることを証明した。Inリッチ構造におけるクラスタ化効果は,おそらく非放射中心として振る舞う拡張欠陥からキャリアを局在化することにより,In_xGa_1-xAs内のキャリア局在化を増強するのに有益であると思われる。これは,インジウム原子のクラスタ化により,転位と欠陥の代わりに局在状態内のキャリアの捕獲における局在化現象の最も重要な重要性を示す。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線 ,  低温 ,  *光ルミネセンス ,  *ルミネセンス ,  *インジウム ,  温度依存性 ,  クラスタ化 ,  *リン化インジウム ,  局在状態 ,  MOCVD ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  光電子デバイス ,  光ルミネセンススペクトル ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： キャリア局在化 ,  S字形 ,  局在状態アンサンブル(LSE) ,  InGaAs/InP ,  光ルミネセンス ,  MOVPE

分類 (5件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  成長 ,  InGaAs ,  光ルミネセンス ,  キャリア ,  局在化 ,  理論 ,  解析