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J-GLOBAL ID：202202289897155908   整理番号：22A0004244

Bサイト規則化度の増強によるGa_2[LiGa_3]O_8逆スピネルのマイクロ波誘電特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the microwave dielectric properties of Ga₂[LiGa₃]O₈ inverse spinel by enhancing B-site ordering degree

著者 (13件)： Fang Weishuang (Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Fang Weishuang (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Ao Laiyuan (Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Ao Laiyuan (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Ao Laiyuan (College of Materials and Chemical Engineering, Key Laboratory of Inorganic Nonmetallic Crystalline and Energy Conversion Materials, China Three Gorges University, Yichang, 443002, China) ,  Tang Ying (Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Tang Ying (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Li Jie (Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Li Jie (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Sun Yihua (College of Materials and Chemical Engineering, Key Laboratory of Inorganic Nonmetallic Crystalline and Energy Conversion Materials, China Three Gorges University, Yichang, 443002, China) ,  Fang Liang (Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Fang Liang (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Fang Liang (College of Materials and Chemical Engineering, Key Laboratory of Inorganic Nonmetallic Crystalline and Energy Conversion Materials, China Three Gorges University, Yichang, 443002, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 1  ページ： 896-902  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の逆スピネルセラミックGa_2[Li_1+xGa_3]O_8+δ(0.05=x≦0.125)を通常の固相反応で合成した。Li(x≦0.1)の添加は八面体カチオンの秩序度を増加させ,セル体積の膨張を引き起こし,最大溶液は0.1~0.125に位置した。Ga_2[Li_1+xGa_3]O_8+δセラミックスの誘電率は原始単位格子のイオン分極率と共に増加し,最適マイクロ波誘電性能はε_r=10.78±0.1,Q×f=171,171±500GHz,τ_f=-56.47±1.0ppm/°Cで1260°Cで焼結したx=0.1試料で得られた。τ_fはGa1結合原子価と八面体歪の逆の変化傾向を示した。Q×fは424cm-1Ramanモードの充填分率とFWHMによって決定された。さらに,Ga_2[Li_1+xGa_3]O_8+δセラミックスの固有誘電特性を赤外反射スペクトルにより評価した。結果は,Ga_2[Li_1+xGa_3]O_8+δセラミックが有望な基板材料であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固相反応 ,  焼結 ,  *スピネル ,  セラミック ,  *マイクロ波 ,  誘電率 ,  *誘電性 ,  原子価 ,  規則度 ,  カチオン ,  FWHM
準シソーラス用語： 単位格子 ,  イオン分極 ,  赤外反射スペクトル ,  *マイクロ波誘電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ga_2[Li_1+xGa_3]O_8+δ ,  Li過剰 ,  逆スピネル ,  構造秩序

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 規則化 ,  増強 ,  スピネル ,  マイクロ波誘電特性