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J-GLOBAL ID：202202290033312351   整理番号：22A0316873

ナノグラフェンにおける効率的な近赤外レーザ発振を可能にする励起状態工学【JST・京大機械翻訳】

Excited states engineering enables efficient near-infrared lasing in nanographenes

著者 (17件)： Paterno Giuseppe M. (Center for Nano Science and Technology, Istituto Italiano di Tecnologia (IIT), Via Pascoli 10, 20133, Milano, Italy. [e-mail]) ,  Chen Qiang ,  Munoz-Marmol Rafael ,  Guizzardi Michele ,  Bonal Victor ,  Kabe Ryota ,  Barker Alexander J. ,  Boj Pedro G. ,  Chatterjee Shreyam ,  Ie Yutaka ,  Villalvilla Jose M. ,  Quintana Jose A. ,  Scotognella Francesco ,  Muellen Klaus ,  Diaz-Garcia Maria A. ,  Narita Akimitsu ,  Lanzani Guglielmo
資料名： Materials Horizons  (Materials Horizons)
巻： 9  号： 1  ページ： 393-402  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2467A  ISSN： 2051-6355  CODEN： MHAOAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導発光(SE)と暗状態(すなわち,電荷と三重項)からの吸収の間のスペクトル重なりは,特に近赤外(NIR)で,有機半導体における最も効果的な利得損失チャンネルの1つである。最近,原子的に正確なグラフェンナノ構造またはナノグラフェン(NG)のボトムアップ合成は,光学的利得特性を有する環境的および化学的に安定な材料の開発のための新しい経路を開く。しかし,この場合,利得と吸収損失間の相互作用は,NIRにおける効率的なレーザ発振作用の達成を妨げている。ここでは,NGコアに2つのフルオランテンイミド基を導入すると,前駆体NG分子(685対615nm)よりも赤方偏移発光が生じ,大きなStokesシフト(それぞれ45nm対2nm,1026cm-1対53cm-1)を示した。光物理的結果は,基底状態吸収損失のミニマイゼーションに加えて,このような置換がNIRにおける有害な励起状態吸収を抑制し,電荷移動特性と三重項を持つ暗状態から生じることを示した。これは,以前に報告されたNIR発光NGsよりも1桁低い閾値を持つ全溶液処理分散フィードバックデバイスからのNIRレーザ発振(720nm)を可能にした。本研究は,安価で安定なNIRレーザの開発に向けて,NGsの分野における進歩と,一般的に有機半導体フォトニクスを示す。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三重項 ,  閾値 ,  赤方偏移 ,  相互作用 ,  電荷移動 ,  発光 ,  有機半導体 ,  *励起状態 ,  スペクトル ,  *近赤外線 ,  利得 ,  *レーザ発振 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： フォトニクス ,  *ナノグラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノグラフェン ,  近赤外レーザ ,  励起状態 ,  工学