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J-GLOBAL ID：202202290072168668   整理番号：22A0044750

誘導結合N_2/NH_3/SiH_4放電の二次元流体シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional fluid simulation of inductively coupled N₂/NH₃/SiH₄ discharge

著者 (4件)： Cha Ju-Hong (Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan, Republic of Korea) ,  Seo Kwon-Sang (Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan, Republic of Korea) ,  Kim Sang-Woo (Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan, Republic of Korea) ,  Lee Ho-Jun (Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan, Republic of Korea)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 3  ページ： 035203 (18pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温N_2/NH_3/SiH_4放電を用いて水素化窒化ケイ素膜(SiN_xH_y)を堆積した。この過程において,膜品質の改善に影響する主な要因はSiH_xとNH_xラジカルのような活性種であり,これは表面反応の原因である。異なる操作条件でのプラズマ化学の変化は,バルクプラズマ領域における活性種の生成に影響する。SiN_xH_y薄膜堆積のための従来のN_2/NH_3/SiH_4放電において,活性種の生成とプロセスパラメータの間の相関を説明するのに必要な情報は不十分であった。特に,測定した薄膜特性に基づく実験結果を用いて,SiH_xとNH_xラジカルの生成の間の関係を完全に理解することは困難であった。したがって,各ラジカルの機構を理解するために,数値モデルを調製した。材料加工の効率を改善し,プロセス制御性を高めるために,誘導結合プラズマN_2/NH_3/SiH_4モデルを導入し,研究した。本研究は,N_2/NH_3/SiH_4放電における各活性種の発生の概要を提供した。特に,ガス圧とN_2/NH_3/SiH_4ガス混合比の影響を論じた。さらに,活性種(N,NH_x,SiH_x,アミノ-シラン錯体)の生成のためのN_2/NH_3/SiH_4プラズマプロセスの原理を分析した。特定の粒子の生成密度は,圧力とガス組成比に基づく電子の空間分布に影響されることが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  薄膜 ,  *放電 ,  プロセス制御 ,  シラン ,  水素化 ,  混合比 ,  *二次元 ,  *電磁結合 ,  プロセスパラメータ ,  誘導結合プラズマ ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： 数値モデル ,  ガス組成 ,  活性種 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  気体放電  (BJ03020T) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘導結合 ,  放電 ,  流体シミュレーション