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J-GLOBAL ID：202202290202393613   整理番号：22A0233368

室温化学経路による擬容量ナノ構造セレン化銀薄膜:スーパーキャパシタ応用への最初のアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Pseudocapacitive nanostructured silver selenide thin film through room temperature chemical route: First approach towards supercapacitive application

著者 (3件)： Shivasharma T Kedara (Nano Materials and Device Laboratory, Department of Physics, Visvesvaraya National Institute of Technology, South Ambazari Road, Nagpur, Maharashtra 440010, India) ,  Bommineedi Lakshmana Kumar (Nano Materials and Device Laboratory, Department of Physics, Visvesvaraya National Institute of Technology, South Ambazari Road, Nagpur, Maharashtra 440010, India) ,  Sankapal Babasaheb R. (Nano Materials and Device Laboratory, Department of Physics, Visvesvaraya National Institute of Technology, South Ambazari Road, Nagpur, Maharashtra 440010, India)
資料名： Inorganic Chemistry Communications  (Inorganic Chemistry Communications)
巻： 135  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1585A  ISSN： 1387-7003  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬似容量ナノ構造セレン化銀(Ag_2Se)薄膜のよく制御された成長を,簡単な,より高価な,室温および工業スケーラブルな連続イオン層吸着と,ステンレス鋼基板上への反応(SILAR)法を通して達成し,スーパーキャパシタ応用の電極材料として,初めて報告した。X線光電子分光研究は,Ag_2Seの形成を確認した。成長したAg_2Se薄膜の斜方晶構造は水性Na_2SO_3電解質中で親水性を示し,サイクリックボルタンメトリー(CV)で研究された12.45F/g@10mV/sの走査速度と電気化学的研究による定電流充電放電による15.99F/g@0.8A/gの比容量を示した。興味深いことに,Ag_2Se電極は2000CVサイクル後に85.10%の容量保持率を示した。電極-電解質界面で貯蔵された正味電荷の起源は,表面誘起容量および拡散制御機構からよく理解されてきた。0.06Ωの低い等価直列抵抗(ESR)値を,高パワーバースト電極材料を示すiR_drop対電流密度のプロットによって決定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  吸着 ,  電荷 ,  電流 ,  *薄膜 ,  放電 ,  ステンレス鋼 ,  充電 ,  電解質 ,  電極材料 ,  斜方晶系 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： *スーパーキャパシタ ,  擬似容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： スーパーキャパシタ ,  セレン化銀(Ag_2Se) ,  SILAR ,  薄膜

分類 (3件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  化学 ,  経路 ,  ナノ構造 ,  セレン化 ,  銀薄膜 ,  スーパーキャパシタ ,  応用