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J-GLOBAL ID：202202290236044650   整理番号：22A0950950

第一原理による遷移金属粒子をドープしたGaNナノワイヤの電子構造研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structure Investigation of GaN Nanowire Doped with Transition Metals Particles via First Principle

著者 (3件)： Lu Feifei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Liu Lei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Tian Jian (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Particle & Particle Systems Characterization  (Particle & Particle Systems Characterization)
巻： 39  号： 3  ページ： e2100150  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2713A  ISSN： 1521-4117  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン分極電子源の場でGaNナノワイヤをよりよく利用するために,遷移金属(Cr,Mn,Fe,Co,Ni)粒子ドープナノワイヤの構造と特性を第一原理で研究した。研究結果は遷移金属(TM)粒子がGaNナノワイヤの最外表面にドープされる可能性が高いことを示した。CrドープGaNナノワイヤの仕事関数は,2.06eVである最大の減少を示した。TMドープナノワイヤでは,TM原子の3d電子とN原子の2p電子の偏光から主に誘導される磁気モーメントが誘起された。100%スピン分極特性を有するMnドープGaNナノワイヤはスピン分極電子源光電陰極応用の良い候補であると思われる。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子 ,  磁気モーメント ,  仕事関数 ,  *遷移金属 ,  電子 ,  *電子構造 ,  偏光 ,  クロム ,  マンガン ,  スピン分極 ,  *ドーピング ,  電子源 ,  光電陰極 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 3d電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子構造 ,  磁気特性 ,  金属 ,  ナノ構造 ,  光学特性

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 第一原理 ,  遷移 ,  金属粒子 ,  ドープ ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  電子構造 ,  研究