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J-GLOBAL ID：202202290314160377   整理番号：22A1173409

Cuドープ硫化インジウム薄膜の表面特性評価【JST・京大機械翻訳】

Surface characterization of Cu-doped indium sulfide thin films

著者 (3件)： Ebrahiminejad Zhaleh (Department of Physics, West Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Asgary Somayeh (Department of Physics, West Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Esmaili Parisa (Urmia Branch, Young Researchers and Elite Club Islamic Azad University, Urmia, Iran)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 96  号： 5  ページ： 1315-1319  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cuドープ硫化インジウム薄膜(In_2S_3:Cu)をガラス基板上に化学浴析出(CBD)法で作製した。堆積膜を300°Cで約1時間ポストアニールした。製造した薄膜の形態学的特性をCuドーピングプロセスの前後に解析的に調べた。この目的のために,原子間力顕微鏡解析を用いて,これらの粗い薄膜の高さ変動を研究した。モノフラクタル解析,高さ分布,および表面高さの高次モーメント(スキューネスと尖度)を研究した。Gauss分布からの偏差を結果によって示した。また,相関関数と生成表面の相関長を調べた。数値計算は,薄膜の形態と統計的特性が成長法に依存することを明らかにした。パワースペクトル密度を評価し,表面高さの高次モーメントの達成された結果を確認した。薄膜高さの歪値はゼロであった。さらに,得られた尖度値はGauss分布に関して穏やかなピークを示す。Hurst指数と表面のフラクタル次元を推定した。Copyright Indian Association for the Cultivation of Science 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  数値計算 ,  相関関数 ,  *薄膜 ,  正規分布 ,  *銅 ,  *硫化物 ,  *ドーピング ,  *インジウム化合物 ,  相関長 ,  フラクタル次元 ,  パワースペクトル密度 ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  尖度 ,  *硫化インジウム ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： In_2S_3 ,  化学浴堆積 ,  原子間力顕微鏡 ,  モノフラクタル解析

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  ドープ ,  硫化インジウム ,  薄膜 ,  表面特性 ,  評価