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J-GLOBAL ID：202202290324022677   整理番号：22A0731097

JanusPtSSe単分子層:SOF_2センシングのための新しい歪変調 bud【JST・京大機械翻訳】

Janus PtSSe monolayer: A novel strain-modulated buddy for SOF₂ sensing

著者 (5件)： Cui Hao (College of Artificial Intelligence, Southwest University, Chongqing, 400715, China) ,  Cui Hao (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, 400044, China) ,  Zhang Qiang (College of Artificial Intelligence, Southwest University, Chongqing, 400715, China) ,  Liu Hongbo (Qingdao Power Supply Company, State Grid Shandong Electric Power Company, Qingdao, 266000, China) ,  Peng Xiaoyan (College of Artificial Intelligence, Southwest University, Chongqing, 400715, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 198  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D Janus PtSSe単分子層を,第一原理理論を用いてSOF_2に対する吸着とセンシング挙動を研究するために提案した。その結果,PtSSe単分子層のS表面は,E_adが-0.30,-0.33および-0.28eVとして得られるPtSSeの単層PtS_2,PtSe_2およびSe表面のそれらと比較して,-0.35eVの吸着エネルギー(E_ad)を有するSOF_2吸着に対して最良の性能を発揮することを示した。SOF_2系のわずかに低下したバンドギャップはPtSSe単分子層の増大した電気伝導率を意味し,SOF_2検出に対するセンシング機構を提供した。適用した二軸歪はSOF_2系のバンドギャップの低下を促進し,PtSSe単分子層の強い電位がSOF_2検出のための歪変調センサであることを示した。SF_6絶縁装置の作動条件を反映する新しいセンシング材料を調べた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  電位 ,  電気伝導率 ,  *セレン ,  *単分子層 ,  二次元 ,  センサ ,  単一層 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 感知機構 ,  運転条件 ,  二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： PtSSe単分子層 ,  SOF_2センシング ,  第一原理理論 ,  歪変調

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  センシング ,  歪 ,  変調