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J-GLOBAL ID：202202290497626369   整理番号：22A0203274

ロバストな応答性を持つTi_3C_2/ε-Ga_2O_3Schottky自己出力型ソーラーブラインド光検出器【JST・京大機械翻訳】

Ti₃C₂/ε-Ga₂O₃ Schottky Self-Powered Solar-Blind Photodetector With Robust Responsivity

著者 (11件)： Yan Zu-Yong (Laboratory of Information Functional Materials and Devices, School of Science and State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Li Shan (Laboratory of Information Functional Materials and Devices, School of Science and State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Liu Zeng (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packing Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Wen-Jie (School of Energy and Power Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, Jiangsu, China) ,  Qiao Fen (School of Energy and Power Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, Jiangsu, China) ,  Li Pei-Gang (Laboratory of Information Functional Materials and Devices, School of Science and State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Tang Xiao (Advanced Semiconductor Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia) ,  Li Xiao-Hang (Advanced Semiconductor Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia) ,  Yue Jian-Ying (Laboratory of Information Functional Materials and Devices, School of Science and State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Guo Yu-Feng (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packing Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Tang Wei-Hua (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packing Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3803208.1-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D材料として,MXeneは,その高い導電性と親水性表面のため,光電子デバイスのための優れた電極材料として出現した。Ti_3C_2系MXeneを用いてTi_3C_2/ε-Ga_2O_3Schottky接合光検出器を作製した。製作したデバイスは,極めて低い暗電流(0.07pA),顕著な光応答速度(2.5/106),顕著な光応答速度(43ms/145ms),15.5mA/Wの応答性(R),7.5%の外部量子効率(EQE),および2.15×1011Jonesの検出感度(D*)を有する自己出力操作方法を実証した。”その方法]は,顕著な光応答速度(2.5 m/145ms),顕著な光応答速度(43ms/145ms),15.5mA/Wの応答性(R),7.5%の外部量子効率(EQE),および2.15×1011Jonesの検出感度(D*)を示した。これまでに報告されたGa_2O_3ショットキー光検出器のそれらに匹敵するか,またはより高いこのような優れた光検出性能は,MXeneの優れた導電性,ε-Ga_2O_3の良好な結晶化,およびそれらのよく整合したエネルギーレベルに由来する。さらに,このSchottky接合デバイスは,太陽ブラインドUV領域を感知でき,空気環境中で優れた安定性を示す。2D MXeneとワイドバンドギャップε-Ga_2O_3の完全な組合せは,自己出力Schottkyデバイスのための新しい経路を提案する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  結晶化 ,  太陽 ,  *光検出器 ,  *応答特性 ,  暗電流 ,  電極材料 ,  二次元 ,  *ロバスト性 ,  導電性
準シソーラス用語： 光応答 ,  ワイドバンドギャップ ,  外部量子効率 ,  Schottky接合 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ロバスト ,  応答性 ,  自己 ,  ブラインド ,  光検出器