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J-GLOBAL ID：202202290672109309   整理番号：22A0983134

ピンペロブスカイト太陽電池における性能限界界面再結合の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding Performance Limiting Interfacial Recombination in pin Perovskite Solar Cells

著者 (23件)： Warby Jonathan (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Zu Fengshuo (Humboldt-Universitat zu Berlin, Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Brook-Taylor Strasse 6, D-12489, Berlin, Germany) ,  Zeiske Stefan (Department of Physics, Swansea University, Singleton Campus, Swansea, SA2 8PP, UK) ,  Gutierrez-Partida Emilio (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Frohloff Lennart (Humboldt-Universitat zu Berlin, Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Brook-Taylor Strasse 6, D-12489, Berlin, Germany) ,  Kahmann Simon (Department of Physics, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, UK) ,  Frohna Kyle (Department of Physics, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, UK) ,  Mosconi Edoardo (Computational Laboratory for Hybrid/Organic Photovoltaics (CLHYO)Istituto CNR di Scienze e Tecnologie Chimiche “Giulio Natta”(CNR-SCITEC) Via Elce di Sotto 8, Perugia, 06123, Italy) ,  Radicchi Eros (Computational Laboratory for Hybrid/Organic Photovoltaics (CLHYO)Istituto CNR di Scienze e Tecnologie Chimiche “Giulio Natta”(CNR-SCITEC) Via Elce di Sotto 8, Perugia, 06123, Italy) ,  Lang Felix (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Shah Sahil (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Pena-Camargo Francisco (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Hempel Hannes (Department of Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum-Berlin, D-14109, Berlin, Germany) ,  Unold Thomas (Department of Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum-Berlin, D-14109, Berlin, Germany) ,  Koch Norbert (Humboldt-Universitat zu Berlin, Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Brook-Taylor Strasse 6, D-12489, Berlin, Germany) ,  Armin Ardalan (Department of Physics, Swansea University, Singleton Campus, Swansea, SA2 8PP, UK) ,  De Angelis Filippo (Computational Laboratory for Hybrid/Organic Photovoltaics (CLHYO)Istituto CNR di Scienze e Tecnologie Chimiche “Giulio Natta”(CNR-SCITEC) Via Elce di Sotto 8, Perugia, 06123, Italy) ,  De Angelis Filippo (Department of Chemistry, Biology and Biotechnology, University of Perugia, Via Elce di Sotto 8, Perugia, 06123, Italy) ,  De Angelis Filippo (Department of Natural Sciences & Mathematics, College of Sciences & Human Studies, Prince Mohammad Bin Fahd University, P.O. Box 1664, Al Khobar, 31952, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Stranks Samuel D. (Department of Physics, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, UK) ,  Stranks Samuel D. (Department of Chemical Engineering & Biotechnology, University of Cambridge, Cambridge, CB3 0AS, UK) ,  Neher Dieter (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany) ,  Stolterfoht Martin (Institute of Physics and Astronomy, University of Potsdam, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, D-14476, Potsdam-Golm, Germany)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 12  号： 12  ページ： e2103567  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト半導体は,それらの例外的な光-電子特性と多接合セルへのそれらの成功した統合のために,確立されたシリコンベースの光起電力(PV)技術の限界を克服する魅力的なオプションである。しかし,単一および多重接合セルの性能は,ペロブスカイト/有機電子輸送層接合における顕著な非放射再結合により大きく制限される。本研究では,ペロブスカイト/C_60界面での界面再結合の原因を,光ルミネセンス,光電子分光法,および第一原理数値シミュレーションの組み合わせによって明らかにした。全C_60誘起再結合損失に対する最も重要な寄与は,C_60のバルクあるいはペロブスカイト表面よりも,C_60の最初の単分子層内で起こることが分かった。実験は,ペロブスカイトと直接接触するとき,C_60分子が深いトラップ状態として作用することを示した。さらに,C_60の表面被覆を減らすことにより,裸のペロブスカイト層の放射効率を維持できることを実証した。本研究の知見はペロブスカイト太陽電池における最も重要な残留性能損失の1つを克服する道を開く。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  光起電力 ,  *再結合 ,  *太陽電池 ,  電子 ,  半導体 ,  光ルミネセンス ,  ケイ素 ,  単分子層 ,  光電子分光法 ,  表面被覆
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  多重接合 ,  非放射再結合 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： C_60 ,  欠陥 ,  界面再結合 ,  損失機構 ,  ペロブスカイト ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  限界 ,  界面 ,  再結合 ,  理解