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J-GLOBAL ID:202202290676788186   整理番号:22A0182683

拡散障壁により調整したBi_2Te_3系熱電モジュールの性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of Bi2Te3-based thermoelectric modules tailored by diffusion barriers
著者 (4件):
資料名:
巻: 895  号: P2  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Cu電極とBi_2Te_3系脚を接続するために,270°Cで10分間加熱する前に,Cu電極上にSn合金はんだを延ばすことによって,50対のBi_2Te_3ベースの熱電(TE)モジュールを作製した。はんだとTE材料の間の予想外の反応を抑制するために,従来の無電解ニッケル(EN)層とEN,無電解パラジウム,および浸漬金(ENEPIG)層を含む新しいコーティングを,拡散障壁としてBi_2Te_3材料に採用した。モジュールのTE性能に及ぼす異なる拡散障壁,すなわちENとENEPIGの影響を確認した。Bi_2Te_3/はんだ/Cu電極界面での界面構造は,金属間化合物がCu,Sn,および被覆元素間の相互拡散により生成し,それらはBi_2Te_3/はんだおよびはんだ/Cu電極界面に集中していることを明らかにした。さらに,ENEPIG被覆は,EN被覆よりもはんだと非常に良好な濡れ性を示し,Bi_2Te_3/はんだ界面でより少ない欠陥サイトをもたらした。TEモジュールを通して電流が流れるとき,ENEPIG被覆モジュールはEN被覆モジュールより高温側と低温側の両方でより低い温度をもたらした。モジュールは2つの基板間で温度差があったが,ENEPIG被覆モジュールにより発生した出力電力はEN被覆モジュールよりも高かった。さらに,ENEPIG被覆モジュールはEN被覆モジュールよりも小さな内部抵抗を示した。200°C,200hの加熱後,両モジュールは出力電力を著しく低減したが,内部抵抗は増加した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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