文献

J-GLOBAL ID：202202290704993140   整理番号：22A0428936

メチル化アモルファスシリコンにおける最初のリチオ化の均一性の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling homogeneity of the first lithiation in methylated amorphous silicon

著者 (10件)： Feng Yue (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Cheriet Abdelhak (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Cheriet Abdelhak (CRTSE, Division Couches Minces Surfaces et Interfaces, 2 Bd Franz Fanon, BP 140 Alger 7 Merveilles 16038, Algeria) ,  Cheriet Abdelhak (Faculty of sciences, Farhat Abbas University, Setif 19000, Algeria) ,  Panagopoulou Marianthi (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Aureau Damien (Institut Lavoisier, Universite de Versailles Saint Quentin en Yvelines, CNRS, Universite Paris-Saclay, Versailles, France) ,  Rowe Alistair C.H. (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Henry-de-Villeneuve Catherine (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Rosso Michel (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France) ,  Ozanam Francois (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Institut Polytechnique de Paris, 91120 Palaiseau, France)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 403  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メチル化非晶質シリコン(a-Si_1-x(CH_3)_x:H)は,純粋な非晶質シリコン(a-Si:H)と比較して,Liイオン電池のアノード材料として長い寿命を示した。しかし,薄膜電極のオペランド光学顕微鏡は,材料のメチル含有量を増加させることによって,最初のリチオ化が空間的に均一から不均一に変わることを示した。不均一リチオ化は,メチル化非晶質シリコンの大きな抵抗率に関連した静電不安定性から生じるように見える。リチウム化スポットは,誘電体絶縁破壊を通してリチオ化の開始時に瞬時に核形成するか,あるいは,層厚さが減少する形態欠陥において,より漸進的に核形成する。両事例において,損傷が,リチオ化スポットが核形成する位置を通して流れる高電流密度によって発生する。材料抵抗率を低下させるメチル化非晶質シリコンのホウ素ドーピングは,薄膜電極のリチウム化を不均一から均質に変えた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  核形成 ,  絶縁破壊 ,  電気抵抗率 ,  電池 ,  誘電体 ,  リチウム ,  光学顕微鏡 ,  *メチル化 ,  膜電極 ,  不安定性 ,  *リチオ化 ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： アノード材料【電池】 ,  オペランド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Liイオン電池 ,  アモルファスシリコン ,  メチル化アモルファスシリコン ,  リチオ化機構 ,  オペランド光学顕微鏡

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： メチル化 ,  アモルファスシリコン ,  リチオ化 ,  均一性