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J-GLOBAL ID：202202290725425769   整理番号：22A0433527

赤外増強応答窒化チタン膜と結合したペロブスカイト-シリコンタンデム光起電力デバイスの性能【JST・京大機械翻訳】

The performance of a perovskite-silicon tandem photovoltaic device coupled with the infrared-enhanced response titanium subnitride film

著者 (7件)： Lan Zixuan (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Wang Yilin (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Wu Kangjing (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Xu Fei (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Zhao Lei (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Ma Zhongquan (SHU-SOEN’s R&D Lab, Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Ma Zhongquan (Instrumental Analysis & Research Center, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITO/a-SiO_x(In)が正孔選択であり,In,Si,O元素,および固有およびp型超薄SiO_x(In)層形質の傾斜分布を有する非対称シリコンベース太陽電池のために,2種類のキャリアの不動態化接触キャッピングスタックを育成し,一方,n-Si吸収体の背面上のSiO_x-TiN_y層は電子選択であり,より高い電子濃度(1023~1024/cm3)を有する変性材料として挙動した。Hall効果,X線光電子放出,および少数キャリア寿命測定,およびTiN_y膜およびITO/a-SiO_x(In)/n-Si/SiO_x-TiN_yデバイスのAFORS-HETソフトウェアによるシミュレーション解析を用いて,このデバイスの性能が,TiN_y膜のN欠陥と強く相関し,また,シミュレーション結果により,界面状態(D_it(E))の縮小密度および増強近赤外応答(EQE)が,半導体-quasi-絶縁体-半導体デバイス(SQIS)のプロトタイプと比較して,578.6から744.1mVまでの開回路電圧の増加および電力変換効率(PCE)が30.65%増加することを実証した。さらに,改良SQISセルに接続したn-i-p型ペロブスカイトセルトンネルによるモノリシックタンデム素子は,J_sc,V_ocおよびpFFの最大値の下で利用可能な推定を通して予測される31.39%のPCEを達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  *赤外線 ,  太陽電池 ,  半導体 ,  半導体素子 ,  表面準位 ,  不動態化 ,  *窒化 ,  非対称性 ,  近赤外線 ,  ソフトウェア
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 数値シミュレーション ,  二重トンネリング ,  修正SQIS ,  ホールブロッキング ,  SiO_x/TiN_y背面不動態化接触

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 赤外 ,  増強 ,  応答 ,  窒化 ,  チタン膜 ,  ペロブスカイト ,  シリコン ,  タンデム ,  光起電力デバイス