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J-GLOBAL ID:202202290846614915   整理番号:22A1156930

ポリチオフェンのジフェニルジセレニド変調電荷輸送動力学,インピーダンス分光法および温度センシング挙動【JST・京大機械翻訳】

Diphenyldiselenide modulated charge transport dynamics, impedance spectroscopy and temperature sensing behaviour of polythiophene
著者 (5件):
資料名:
巻: 33  号: 10  ページ: 8179-8192  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ジフェニルジセレニド(PhSe)_2を,ポリチオフェン(PTh)の電荷輸送動力学,インピーダンス分光法および温度センシング挙動における変調を観測するためのユニークなドーパントとして想定した。[PTh/(PhSe)_2]ナノ複合材料を,ボールミルしたジフェニルジセレニドドーパントの存在下で,非水性酸化重合経路により合成した。熱重量分析,Fourier変換赤外分光法,粉末X線回折および走査型透過電子顕微鏡データを用いて,合成材料を特性化した。(PhSe)_2ドープPThは,元の高分子における電気的性質の興味深い変調を明らかにした。R-T測定は負の温度係数挙動を示したが,誘電は周波数,インピーダンスおよび弾性率の変化により通常の分散を示し,結晶粒および結晶粒界に対応する並列抵抗-容量要素の直列組合せを推測した。電流変動の3つの異なる領域を有するトラップ充填空間電荷制限伝導(SCLC)をI-V特性から観察した。導電性パターンの変調はナノ複合材料の微細構造と相関し,PTh鎖はπ-πスタッキング相互作用による(PhSe)_2ドーパントの構造化によりコンパクトになる。したがって,電荷キャリア運動はコンパクトなPTh鎖に沿って高くなり,相境界で収縮する。しかし,周波数と温度の増加とともに,容易なホッピングが起こり,周波数の増加による活性化障壁の減少からも明らかな伝導率の増加をもたらす。このように,(PhSe)_2の取り込みはPThの電気的性質の変調を可能にし,それによって,材料をNTC挙動を有するトラップ充填SCLCによって支配される平行RC要素を形成するようにした。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料 

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