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J-GLOBAL ID：202202290848810655   整理番号：22A0742154

プラズマ水素化によるV_2O_3薄膜における金属-絶縁体転移の可逆的制御【JST・京大機械翻訳】

Reversible control of the metal-insulator transition in V₂O₃ thin films through plasma hydrogenation

著者 (2件)： Sultan M T (Science Institute, University of Iceland, Dunhaga 3, 107 Reykjavik, Iceland) ,  Arnalds U B (Science Institute, University of Iceland, Dunhaga 3, 107 Reykjavik, Iceland)
資料名： Physica Scripta  (Physica Scripta)
巻： 97  号： 3  ページ： 035806 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0454B  ISSN： 0031-8949  CODEN： PHSTBO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c-Al_2O_3上に成長させたエピタキシャルV_2O_3膜の金属-絶縁体転移(MIT)に及ぼす水素プラズマ処理の影響を調べた。膜を一定出力のプラズマに種々の間隔で暴露した。水素化の増加に伴い,膜は,XRDおよびRaman分光分析による歪の緩和によって支持された原子状水素の取込みによる,構造欠陥の中和および不対結合の不動態化により,MITの大きさおよび温度の抑制を示し,一方,V-V結合のPeierls二量化の減少により,金属相を安定化させる。350-400°Cに加熱すると,成長したままの状態の膜の電気特性は回復し,MIT特性を可逆的に制御する可能性を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エピタクシー ,  *プラズマ ,  *薄膜 ,  不動態化 ,  *水素化 ,  二量化 ,  安定化 ,  電気特性 ,  *金属-絶縁体転移 ,  Raman分光分析
準シソーラス用語： 原子状水素 ,  構造欠陥 ,  水素プラズマ ,  金属相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ ,  水素化 ,  薄膜 ,  金属-絶縁体転移