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J-GLOBAL ID：202202290997752160   整理番号：22A1121278

InPベース高Electron移動度トランジスタにおけるシングルイベント効果シミュレーションの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of single event effect simulation in InP-based High Electron Mobility Transistors

著者 (7件)： Sun Shuxiang (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Liu Linshuang (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Wu Haitao (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Yao Ruxian (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Mei Hongying (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Wen Hua (Henan Key Laboratory of Smart Lighting and School of Information Engineering, Huanghuai University, Zhumadian 463000, China) ,  Zhong Yinghui (School of Physics and Microelectronics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 36  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPベースの高Electron移動度トランジスタ(HEMT)における単一事象効果(SEEs)の特性と機構を,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションによって研究した。シミュレーション結果は,過渡ドレイン電流が,重イオンがゲート領域に入射した後に最高になり,最も敏感な位置がゲート領域であることを示した。線形エネルギー移動(LET)とドレイン電圧の増加とともに,最大ドレイン電流は,ほぼ線形に増加した。電場はドレイン電圧の増加とともに増加し,衝撃イオン化速度の増加をもたらし,次により多くの電子-正孔対を生成した。したがって,ドレイン電流はドレイン電圧の増加で増加した。さらに,ドレイン電流は,ドレインでのより高い電場により,より高いトラップ密度で大きくなった。InGaAsチャネルの薄い厚さは,デバイス上のSEEを著しく減少させることができる。そして,InGaAsチャネルのInモル分率は,SEEに及ぼす小さな影響を持った。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *シミュレーション ,  電圧 ,  電場 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  *インジウム ,  *リン化インジウム ,  衝突イオン化 ,  重イオン ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ゲート【半導体】 ,  HEMT
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  TCAD ,  *SEE【事象】 ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InPベースHEMT ,  SEE ,  LET ,  ドレイン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  移動度 ,  トランジスタ ,  シングルイベント効果 ,  シミュレーション ,  特性評価