文献

J-GLOBAL ID：202202291349519683   整理番号：22A1090955

大気圧プラズマジェットによるSiO_2絶縁膜を調製するための簡単な経路【JST・京大機械翻訳】

A simple route to prepare SiO₂ insulation film by atmospheric pressure plasma jet

著者 (14件)： Wang Qizhen (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Liu Zhihui (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Zhang Xin (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Zhang Yi (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Jiang Tianlong (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Zhang Weiming (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Wang Hualin (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Jiang Weiwei (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Liu Shimin (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Liu Chaoqian (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Wang Nan (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Cui Yunxian (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Ding Wanyu (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Dong Chuang (College of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 316  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2絶縁膜を大気圧プラズマジェット(APPJ)技術で迅速に調製し,大きなサイズと/または複雑な表面形態を有する基板に適用できる。SiとO源はそれぞれヘキサメチルジシロキサンと自然空気であった。発光スペクトルの結果は,Si+,Si,およびOがAPPJの主な種であることを明らかにした。APPJ中のSiとOの相対含有量はSiO_2膜の絶縁抵抗に影響した。APPJの過剰なSiで,SiO_2膜の絶縁抵抗を3.35×106Ω/μmに改良できた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  薄膜 ,  発光スペクトル ,  *ケイ素 ,  絶縁抵抗 ,  *絶縁膜
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *大気圧プラズマジェット ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 大気圧プラズマジェット ,  SiO_2 ,  薄膜 ,  堆積 ,  絶縁抵抗 ,  発光スペクトル

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  充填剤,補強材  (YH05030J)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシロキサン

タイトルに関連する用語 (4件)： 大気圧プラズマジェット ,  絶縁膜 ,  調製 ,  経路