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J-GLOBAL ID:202202291449365070   整理番号:22A0637286

ニューロモルフィックコンピューティングのための高い均一性を有するSiO_x/TiO_xメムリスティブクロスバに基づく人工シナプスアレイ【JST・京大機械翻訳】

Artificial synapse arrays based on SiOx/TiOx memristive crossbar with high uniformity for neuromorphic computing
著者 (7件):
資料名:
巻: 120  号:ページ: 043101-043101-7  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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人工シナプスネットワークの鍵として,メムリスティブデバイスは,シナプスに似たそれらの生物学的構造と機能のため,人工シナプスを構築するために最も重要な役割を果たす。高均一性のメムリスタデバイスが,神経形態チップに実際に統合されるのを確実にするのに緊急に必要である。ここでは,まず,SiO_x/TiO_xメムリスティブクロスバーアレイに基づく人工シナプスネットワークの実現について報告する。SiO_xメムリスタの1つと比較して,SiO_x/TiO_xメムリスタの高い抵抗状態と低い抵抗状態の変動係数は,それぞれ64.2%と37.6%減少した。SiO_x/TiO_xメムリスティブデバイスの改善された均一性は,TiO_x層中のより厚い永久コンダクタンス経路に関連し,SiO_x層の伝導経路の位置を局所化できることを見出した。伝導経路の切断と形成は主に薄いSiO_x層で発生し,スイッチング均一性の大幅な改善をもたらす。SiO_x/TiO_xメムリスティブクロスバーアレイは,安定かつ制御可能な操作特性を示し,スパイク-継続時間依存塑性,スパイク-タイミング依存塑性,およびスパイク-数依存性可塑性,およびコンダクタンスの対パルス促進同調性を含む生物学的機能の大規模実装を可能にした。特に,視覚学習能力は,ユニットデバイスのコンダクタンスを調整することによって訓練できる。神経形態学的系に対する著者らのSiO_x/TiO_x人工シナプスの非常に効率的な学習能力はAI(人工知能)期間における大きな応用の可能性を示す。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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電子・磁気・光学記録  ,  記憶装置  ,  酸化物薄膜  ,  その他の固体デバイス  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
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