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J-GLOBAL ID：202202291457318561   整理番号：22A0482095

65nmCMOSにおける耐放射線性ディジタル制御リング発振器【JST・京大機械翻訳】

Radiation-Tolerant Digitally Controlled Ring Oscillator in 65-nm CMOS

著者 (5件)： Biereigel Stefan (European Center for Nuclear Research, CERN, Meyrin, Switzerland) ,  Kulis Szymon (European Center for Nuclear Research, CERN, Meyrin, Switzerland) ,  Leroux Paul (ESAT-ADVISE Research Laboratory, KU Leuven University, Leuven, Belgium) ,  Moreira Paulo (European Center for Nuclear Research, CERN, Meyrin, Switzerland) ,  Prinzie Jeffrey (ESAT-ADVISE Research Laboratory, KU Leuven University, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 1  ページ： 17-25  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,全ディジタル位相同期ループ(ADPLL)実装に適した,放射線耐性ディジタル制御相補型金属光電子増倍半導体(CMOS)リング発振器設計について述べた。厳しい放射環境によって提示された課題に対処するために,広い同調範囲発振器アーキテクチャを,優れた単一事象効果(SEE)耐性で提示した。提案した発振器回路は65nm技術で実験的に特性化され,63.5MeVmg-1cm2の線形エネルギー移動(LET)までのSEE感度の大幅な低減を達成し,照射下で高調波振動誤差がなく,1.5Gradを超える全放射線量に耐えることを示した。1.28GHzの設計周波数において,発振器は,1MHzオフセットで-105dBc/Hzの位相雑音を達成しながら,7mWの電力を散逸し,159dBの性能指数(FOM)に対応する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  *発振器 ,  半導体 ,  電力 ,  ディジタル制御 ,  調和振動 ,  放射線量 ,  線形性 ,  *耐放射線性 ,  キャラクタリゼーション ,  *リング発振器 ,  位相雑音 ,  計算機アーキテクチャ ,  光電子 ,  *CMOS

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 耐放射線性 ,  ディジタル制御 ,  リング発振器