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J-GLOBAL ID：202202291493303893   整理番号：22A0324984

分岐ウエハの弾性エネルギーのモデリング:解析解対ANSYS有限要素解析のベンチマーク【JST・京大機械翻訳】

Modelling the Elastic Energy of a Bifurcated Wafer: a Benchmark of the Analytical Solution vs. The ANSYS Finite Element Analysis

著者 (3件)： Vinciguerra Vincenzo (STMicroelectronics, ADG R&D, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Malgioglio Giuseppe Luigi (STMicroelectronics, ADG R&D, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Landi Antonio (STMicroelectronics, ADG R&D, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy)
資料名： Composite Structures  (Composite Structures)
巻： 281  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0145B  ISSN： 0263-8223  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分岐の現象は,ウエハの反りと,その結果,パッケージ(SiP)の最終システムの収率と信頼性に大きく影響する。本研究では,金属化ウエハの残留応力に対する基板の分岐エネルギーの依存性の解析モデルを開発した。解析モデルを有限要素解析(FEA)法を用いて検証した。特定的に,ANSYSシミュレーション実験を,4.5μmアルミニウム層で金属化した8′′シリコン500μm厚ウエハの使用ケースのための基板エネルギーを決定するために,球状と分岐領域の両方で設計した。シミュレーションでは,2つの垂直直径に沿った摂動として作用する一対の弱い力を適用することにより,分岐ケースをウエハで誘起した。基材の印加力とエネルギーを理論的枠組み内で評価した。ウエハの得られた主曲率を理論によって報告された分岐ダイアグラムに従って解析した。さらに,分岐エネルギーは残留応力が増加するにつれて球状の場合に対して系統的に低く,解析モデルによって予測された二次べき乗則を持つことを証明した。本論文の発見は,炭化ケイ素(SiC)のような他の半導体基板に拡張できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 残留応力 ,  シミュレーション ,  *エネルギー ,  信頼性 ,  炭化ケイ素 ,  曲率 ,  *解析的解法 ,  *モデリング ,  メタライゼーション ,  *ベンチマーク ,  解析モデル
準シソーラス用語： *有限要素解析 ,  べき乗則 ,  *ANSYS ,  *弾性エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 分岐 ,  ウエハ ,  反り ,  曲率 ,  有限要素解析(FEA) ,  シミュレーション

分類 (1件)： 平板  (HD03060Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分岐 ,  ウエハ ,  弾性エネルギー ,  モデリング ,  解析解 ,  ANSYS ,  有限要素解析 ,  ベンチマーク