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J-GLOBAL ID：202202291574946625   整理番号：22A0640384

メムキャパシタに基づく高性能でロバストな超低電力SRAMセルの新しい設計【JST・京大機械翻訳】

A novel design of high performance and robust ultra-low power SRAM cell based on memcapacitor

著者 (4件)： Abbasi Alireza (Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University, Arak Branch, Arak, Iran) ,  Setoudeh Farbod (Faculty of Electrical Engineering, Arak University of Technology, Arak, Iran) ,  Tavakoli Mohammad Bagher (Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University, Arak Branch, Arak, Iran) ,  Horri Ashkan (Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University, Arak Branch, Arak, Iran)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 16  ページ： 165202 (16pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,6FinFET2メモリキャパシタ(6T2MC)非揮発性静的ランダムアクセスメモリ(NVSRAM)を提案した。この設計では,2つのメムキャパシタを非揮発性メモリ要素として用いた。提案したセルは,従来のNVSRAMと比較して,読み出しと書き込み操作において顕著な改善を提供するとき,データ損失に対して柔軟である。新しいNVSRAM設計の性能を,特定のナノメータ特徴サイズでの読取と書き込み動作の観点から評価した。さらに,提案した6T2MC細胞を8T2R,8T1R,7T1Rおよび7T2R細胞と比較した。結果は,6T2MCが,7T2Rと7T1Rセルと比較して,それぞれ5.50%低い書き込み遅延と98.35%低い読取遅延を持つことを示した。6T2MCセルは,7T2Rと7T1Rセルより38.86%低い電力消費と23.80%低い漏れ電力を示した。提案した細胞は,8T2R,8T1R,7T2Rおよび7T1R細胞と比較して,HSNM,RSNMおよびWSNMに関して有意に改善された。電力消費,データ読取/書込み遅延,およびSNMのような重要なセルパラメータは著しく改善される。MOSFET上のFinFETの優れた特性とメムキャパシタとのこの技術の組合せは,提案した設計の著しい改善をもたらす。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  電力消費 ,  FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  長さ ,  不揮発性メモリ ,  データ読取 ,  非揮発性 ,  *SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  *ロバスト性
準シソーラス用語： FinFET ,  漏れ電力 ,  *超低消費電力 ,  データ損失 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  基礎腫よう学一般  (GE02010R) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャパシタ ,  高性能 ,  ロバスト ,  超低電力 ,  SRAM ,  セル ,  設計