文献

J-GLOBAL ID：202202291647307865   整理番号：22A0647574

トポロジカルHall効果を持つBi_2Te_3ナノドット上のCr_2Te_3の共形成長【JST・京大機械翻訳】

Conformal Growth of Cr₂Te₃ on Bi₂Te₃ Nanodots with a Topological Hall Effect

著者 (15件)： Chen Junshu (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Chen Junshu (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Zhou Liang (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Linjing (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Yan Zijun (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Deng Xintan (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Zhou Jinming (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Mei Jia-wei (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Mei Jia-wei (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Science and Engineering, China) ,  Qiu Yang (Core Research Facilities, Southern University of Science and Technology, China) ,  Xi Bin (College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, China) ,  Wang Xuesen (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  He Hongtao (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Gan (Department of Physics, and Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Gan (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Science and Engineering, China)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 1  ページ： 140-147  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー絶縁体(Bi_2Te_3)のナノ構造上の高品質強磁性体(Cr_2Te_3)の共形成長を分子線エピタキシー(MBE)により実現した。大きなトポロジーHall効果(THE)(~400nΩcm)が95Kまで明確に観察され,この系における磁気スカイミオンのような磁気スピンテクスチャの存在の証拠を提供した。詳細な原子構造キャラクタリゼーションは,黒色リン様BiナノシートがCr_2Te_3格子中に埋め込まれ,Bi_2Te_3ナノドット上に密に積層されていることを明らかにした。次に,埋め込まれたBiナノシートのナノスケール形成機構を提案し,Cr_2Te_3のvan der Waalsエピタクシー過程でBi_2Te_3ナノドットから埋め込まれたBiナノシートが放出されることを実証した。注目すべきことに,埋め込まれたBiナノシートの大きなスピン軌道結合は,それらのとCr_2Te_3の間の界面での磁気スカイミオンの生成を刺激することができるので,観察された大きなTHEは,高密度に積層したBiナノシート上のスカイミオンに起因する可能性がある。要約すると,著者らの知見は,Bi_2Te_3ナノドット上のCr_2Te_3の共形成長における遷移金属CrとBi_2Te_3の間の反応を示し,将来のスピントロニクスデバイスを実現するための効率的でスケーラブルな技術を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Hall効果 ,  位相幾何学 ,  界面 ,  強磁性体 ,  品質 ,  *クロム ,  *ビスマス ,  原子構造 ,  磁気 ,  MBE成長 ,  スピントロニクス ,  ナノシート ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *ナノドット ,  ナノスケール ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジカルHall効果 ,  ナノドット