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J-GLOBAL ID：202202291895293456   整理番号：22A0316888

有機半導体薄膜の自己集合中の過渡相の動的過程【JST・京大機械翻訳】

Dynamic processes in transient phases during self-assembly of organic semiconductor thin films

著者 (7件)： Wan Jing (Department of Physics, 82 University Place, Burlington, Vermont, USA. [e-mail]) ,  Li Yang ,  Benson Jared ,  Miller Richards ,  Zhernenkov Mikhail ,  Freychet Guillaume ,  Headrick Randall L.
資料名： Molecular Systems Design & Engineering  (Molecular Systems Design & Engineering)
巻： 7  号： 1  ページ： 34-43  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2468A  ISSN： 2058-9689  CODEN： MSDEBG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶化プロセスの理解と操作は,溶液処理有機薄膜にとって,基礎研究と近固有電荷輸送特性を有する薄膜作製の両方のための重要な挑戦である。溶液からの堆積中の2-デシル-7-フェニル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(Ph-BTBT-C_10)の結晶化のその場X線散乱研究を報告する。スメクチック-E/結晶相境界以下の温度では,結晶化は最終安定結晶相に達する前に過渡的液晶状態を通過する。X線散乱強度の変動を通して観察される遷移の最初の数秒において顕著な動力学が生じ,過渡的薄膜が蒸発溶媒と共存する時間間隔と相関する。安定な結晶相への転移は,これらの条件下で数分または数時間を要し,それは分子の非対称性の結果である可能性がある。過渡相は,それらが有機薄膜の自己集合の経路として働くことができるので,応用に対して潜在的に興味深い。しかし,著者らの観察は,長寿命単層積層中間状態が二層積層結晶相のテンプレートとして作用しないことを示した。むしろ,結晶粒構造は核形成を通して置換され,そこでは核形成自由エネルギー障壁が分子を妨げるポテンシャル障壁に関係し,その長軸を180°までフリップする。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自由エネルギー ,  X線散乱 ,  液晶 ,  核形成 ,  結晶化 ,  蒸発 ,  *薄膜 ,  *有機半導体 ,  溶媒 ,  結晶粒 ,  ポテンシャル障壁 ,  *自己集合
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  有機薄膜 ,  結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体薄膜 ,  自己集合 ,  過程