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J-GLOBAL ID：202202291932195419   整理番号：22A0780887

GIS/GIL絶縁体のDCフラッシュオーバ特性とトラッキング特性に及ぼす導電性粒子の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Conducting Particle on DC Flashover Characteristics and Tracking Property of GIS/GIL Insulator

著者 (3件)： Li Xiaolong (School of Electrical Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang, China) ,  Cao Chen (School of Electrical Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang, China) ,  Lin Xin (School of Electrical Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang, China)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 10  ページ： 17212-17220  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス/絶縁体界面でのフラッシュオーバーは,特に表面金属粒子を含むとき,ガス絶縁システムの安全で安定した操作に対する重大な課題として作用する。本論文では,SF_6/エポキシ絶縁体界面でのフラッシュオーバ特性を,画像解析に基づく追跡特性に関して調査した。DCフラッシュオーバ実験を,種々の位置で金属粒子を有する盆地型スペーサのために操作した。フラッシュ電圧を得て,連続フラッシュオーバーの後,表面の追跡を行った。フラクタル理論に基づく改良画像分析法を,定量的に追跡パターンを評価するために実施した。粒子先端での追跡のフラクタル次元と場分布の間の関係を明らかにした。得られた結果は,フラッシュオーバ電圧が,地上からHV電極への移動粒子による厳しい場歪みにより減少することを示した。一方,粒子から接地電極までの領域をカバーする追跡のフラクタル次元は集中傾向を示した。シミュレーション結果は,粒子の先端における集中場分布の結果としてこの変動を確認した。フラクタル次元と場分布の間の定量的関係は,ガス絶縁システムにおける絶縁特性に及ぼす金属粒子の影響を推定する新しい見解を示唆する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  追跡 ,  改良 ,  スペーサ ,  *フラッシュオーバ ,  画像分析 ,  フラクタル次元 ,  盆地 ,  接地極 ,  ガス絶縁 ,  *導電性 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 金属粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： システム同定  (IA02040O) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GIS ,  絶縁体 ,  DC ,  フラッシュオーバ ,  トラッキング ,  導電性