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J-GLOBAL ID：202202292025662371   整理番号：22A1093436

電導度アセトンセンサ用の自己テンプレート花状WO_3-In_2O_3中空ミクロスフェア【JST・京大機械翻訳】

Self-templated flower-like WO₃-In₂O₃ hollow microspheres for conductometric acetone sensors

著者 (6件)： Hu Jie (School of mechanical engineering, University of South China, Hengyang 421001, China) ,  Xiong Xueqing (School of mechanical engineering, University of South China, Hengyang 421001, China) ,  Guan Wangwang (School of mechanical engineering, University of South China, Hengyang 421001, China) ,  Long Haizhu (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Zhang Lixiu (School of Materials Science and Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252000, China) ,  Wang Haihang (School of Materials Science and Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252000, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 361  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい花状WO_3-In_2O_3中空ヘテロ構造をその場エッチング法を用いて成功裏に構築した。モルフォロジー特性から,平均サイズ50nmのIn_2O_3ナノ粒子が自己集合WO_3ナノプレート(WO_3 NP)から成るメソポーラスWO_3中空ミクロスフェアで均一に成長していることが明らかになった。良く設計されたヘテロ接合構造の進歩を評価するために,純粋なWO_3,花状WO_3中空球,および花状WO_3-In_2O_3中空ヘテロ接合により,アセトンガスに作製した種々のセンサのガス検知特性を系統的に研究した。ガス検知結果は,このようなSH-WO_3-In_2O_3構造が,純粋なWO_3とSH-WO_3センシング材料に関して,より高いアセトンセンシング性能を達成し,これは,許容可能な花-中空構造とn-n型ヘテロ接合構造の間の有望な相乗効果に起因することを示した。より重要なことに,十分に設計されたWO_3-In_2O_3ヘテロ構造の作製に関するこの研究は,構造と成分の相乗効果を合理的に利用することによって,ある金属酸化物半導体ベースのガス検知材料に対するセンシング性能を改善するための新しい洞察と有用な戦略を提供するかもしれない。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  エッチング ,  検出 ,  *電気伝導率 ,  多孔性 ,  相乗作用 ,  センサ ,  ミクロスフェア ,  ナノ構造 ,  モルフォロジー ,  自己集合 ,  ナノ粒子 ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノプレート ,  メソポーラス ,  ガス検知 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 花状中空球 ,  N-nヘテロ接合 ,  アセトンセンサ ,  WO_3-In_2O_3

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (7件)： 電導度 ,  アセトン ,  自己 ,  テンプレート ,  花 ,  中空 ,  ミクロスフェア