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J-GLOBAL ID：202202292200733097   整理番号：22A0494376

MoO_x/Ag/MoO_x半透明電極を組み込んだ高効率ハイブリッド発光トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Highly efficient hybrid light-emitting transistors incorporating MoO_x/Ag/MoO_x semi-transparent electrodes

著者 (6件)： Park Yu Jung (Department of Semiconductors and Graduate School of Chemical Engineering, Dong-A University, Busan 49315, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Song Ae Ran ,  Chung Kwun-Bum ,  Kim Tae-Youb ,  Walker Bright ,  Seo Jung Hwa
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 3  ページ： 880-885  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光トランジスタ(LET)は,最近,発光機能を持つトランジスタのスイッチング機能を組み込んだ有望なタイプのオプトエレクトロニックデバイスとして浮上している。酸窒化亜鉛(ZnON)ベースの有機-無機ハイブリッドLET(HLETs)は,最近,非常に低い閾値電圧(<5V),高い移動度(5.3cm2V-1s-1),および1.64×104cdm-2の輝度を含む,有機ベースのLETと比較して顕著な改善を含む,この文脈で優れた特性を示している。著しく改善された性能にもかかわらず,HEETの外部量子効率(EQE)は~0.1%であり,追加の改良の余地を残した。HLETの低いEQEを克服するために,可変Ag層厚を有するMoO_x/Ag/MoO_x半透明電極を組み込んだHEETの電気的および光学的特性を調べた。構造MoO_x/Ag/MoO_x(8/15/15nm)を有するHLETsは,1.05×104のオン/オフ比,2.09×104cdm-2の最大輝度,および3.31%までの大幅に改善されたEQEを有する1.06cm2V-1s-1の電子移動度を示した。本研究は,酸化物/金属/酸化物(OMO)半透明電極を有するHLETの電気的および光学的特性に関する貴重な情報を提供し,LETの光電子挙動の包括的理解に寄与する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  光学的性質 ,  *トランジスタ ,  *発光 ,  *銀 ,  酸化物 ,  輝度 ,  *透明電極 ,  層厚 ,  有機-無機ハイブリッド
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  閾値電圧 ,  外部量子効率 ,  *発光トランジスタ ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ag ,  透明電極 ,  高効率 ,  発光トランジスタ