文献
J-GLOBAL ID:202202292470697626   整理番号:22A1161064

長期貯蔵可能なNiO_xナノ粒子に基づく高感度で耐久性のある有機フォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

Highly Sensitive and Durable Organic Photodiodes Based on Long-Term Storable NiOx Nanoparticles
著者 (12件):
資料名:
巻: 14  号: 12  ページ: 14410-14421  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
低コストで作製できる有機光電子素子は,広い周波数範囲で光を吸収し,高い変換効率を持ち,軽量で柔軟であるために,かなりの注目を集めている。さらに,それらの性能は,電荷選択性中間層材料の選択によって著しく影響を受ける。非化学量論酸化ニッケル(NiO_x)は,多くのp型高分子の最高被占分子軌道準位を有する価電子帯位置の良好な整列のため,有機オプトエレクトロニクス素子の正孔輸送層(HTL)の優れた材料である。ここでは,長期貯蔵のために溶液中に十分に分散し,薄いNiO_xNP層を形成するために容易に使用できるNiO_xナノ粒子(NP)合成のための簡単な低温プロセスを報告する。NiO_xNPベースの有機フォトダイオード(OPD)デバイスは,種々の光強度と負のバイアスの下で1012~1013ジョーンの高い比検出性(D*)値を示した。NiO_xNPベースのOPDデバイスのD*値は,従来のポリ-(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ-(スチレンスルホナート(PEDOT:PSS)ベースのデバイスよりも4倍高く,主に16倍減少した漏洩電流に起因する増強であった。NiO_xNPベースのOPDデバイスは,従来のゾル-ゲル処理NiO_x膜を有するデバイスと比較して,広範囲の光強度と動作バイアスにわたってより良い信頼性を示した。より重要なことに,NiO_xNPベースのOPDは,PEDOT:PSSおよびゾル-ゲル処理NiO_xベースデバイスよりも優れた長期デバイス安定性を示した。低温溶液処理可能なNiO_xNPベースのHTLは,安定な高性能OPDの作製における重要部品になることができることを強調した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る