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J-GLOBAL ID：202202292492300646   整理番号：22A0492486

ナノ構造形成における堆積雑音の役割:量子ドットと量子ドット分子の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Role of deposition noise in nanostructure formation: A theoretical investigation of quantum dots and quantum dotmolecules

著者 (2件)： Dhankhar Monika (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India) ,  Ranganathan Madhav (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 2  ページ： 024302-024302-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)と量子ドット分子(QDMs)は,系の歪を低減するために,異なるヘテロエピタキシャル成長条件下で自発的に自己集合するナノ構造である。シリコン-ゲルマニウム系では,蒸着速度が低いとき,QDは生成し,一方,QDMsはより高い堆積速度で形成する。本研究では,シリコン-ゲルマニウムヘテロエピタクシーの理論モデルを,分子ビームエピタクシーにおける表面発展のための連続体理論における雑音を明示的に組み込むことにより修正した。より高い堆積フラックスとより高いノイズ振幅の間の接続を用いて,実験で見られるように,変化するフラックスがQDからQDM形成への遷移をもたらすことができるかを説明することが可能である。これらのシステムにおいて,雑音振幅の増加は,QDとは対照的に,表面にピットの形成をもたらす。これらのピットは,最終的なQDM形成のための核形成サイトとして,そして,その後のアニーリングの間の精密化に役立った。一方,既存のピットを有する事前パターン化膜の場合,QDMは低確率下で形成し,一方,雑音振幅が大きいときはQDが形成される。このように,ナノ構造成長におけるノイズの二重の役割,すなわち,それがピット核形成を介してQDMsの形成を促進し,もう1つは確率的効果によるQDM形成を縮小する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  核形成 ,  *雑音 ,  焼なまし ,  堆積速度 ,  精密化 ,  MBE成長 ,  パターン形成 ,  *ナノ構造 ,  *量子ドット ,  自己集合
準シソーラス用語： 理論モデル ,  蒸着速度 ,  *量子ドット分子 ,  連続体理論 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 構造形成 ,  堆積 ,  雑音 ,  役割 ,  量子ドット ,  量子ドット分子 ,  理論 ,  研究