文献
J-GLOBAL ID:202202292764402191   整理番号:22A0160779

最適混合溶媒-反溶媒後処理による活性層表面/界面改質による平面ペロブスカイト太陽電池の性能向上【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of the performance of planar perovskite solar cells by active-layer surface/interface modification with optimal mixed solvent-antisolvent post-treatment
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
膜アニーリング中の溶媒蒸気後処理によるペロブスカイト膜表面/界面の改質はペロブスカイト膜のモルフォロジーと結晶性を著しく改善し,ペロブスカイト太陽電池(PSC)の効率を高めることができる。本研究では,平面ペロブスカイト太陽電池において19.15%の高い電力変換効率を達成するために,デバイス作製中のペロブスカイト膜の後処理において,ジメチルスルホキシド(DMSO)とクロロベンゼン(CB)の溶媒-反溶媒混合物を使用した。ペロブスカイト膜の後処理におけるDMSOへの添加物としてのクロロベンゼンの使用は,その形態を最適化し,高度に溶融した結晶粒を有する膜をもたらした。改質ペロブスカイト膜表面は,表面においてピンホールとトラップ密度の減少した数だけでなく,界面での電荷移動の増加も示し,低周波界面分極への感受性を減少させた。さらに,電子のみのPSCデバイスのインピーダンス分光法とI-V特性も上記の結論を検証した。全体として,本研究は,それらの表面/界面特性を調整するための効果的な改質戦略としてペロブスカイト膜の混合溶媒-反溶媒後処理を実証した。この手法は多結晶バルク材料とデバイスの他のカテゴリーに外挿されることが期待される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  非遷移金属元素の錯体 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る