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J-GLOBAL ID:202202294516471664   整理番号:22A0974715

パルスレーザ堆積により成長させたAl_2O_3/TiO_2ナノラミネートにおけるMaxwell-Wagner緩和駆動高誘電率【JST・京大機械翻訳】

Maxwell-Wagner Relaxation-Driven High Dielectric Constant in Al2O3/TiO2 Nanolaminates Grown by Pulsed Laser Deposition
著者 (9件):
資料名:
巻: 14  号: 10  ページ: 12873-12882  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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厚さ約2~0.5nmのAl_2O_3とTiO_2(ATA)の交互超薄サブ層の多層ナノ積層体(NLs)を,最適化したパルスレーザ蒸着(PLD)により作製した。Maxwell-Wagner(M-W)緩和誘起界面分極を実現し,サブ層厚さと界面数を正確に制御することによって設計した。ATA NLsのX線反射率および断面透過電子顕微鏡測定は,約0.8nmのサブ層厚さまで,化学的および物理的に異なる界面を有する明確な均一に厚い非晶質サブ層を有する人工周期性を明らかにした。ATA NLsの誘電率と損失は,サブ層厚が2から0.8nmに減少すると,それぞれ,~60から670に増加し,約0.9から0.16に減少した。しかし,0.8nm以下のサブ層厚さでは,傾向は逆転した。さらに,温度依存インピーダンス分光研究は,TiO_2とAl_2O_3サブ層に対応する2つの異なる熱活性化緩和過程を明らかにし,M-W緩和を確証した。ATA NLのサブ層間の伝導率コントラストは,サブ層厚さの減少で増加し,約0.8nmのサブ層厚さで平坦になり,結果として,支配的なM-W界面分極と~50kHzの高いカットオフ周波数をもたらした。これらの結果は,PLDによって成長したATA NLsが次世代ナノエレクトロニクスデバイスのための潜在的高k材料として応用を見出すかもしれないことを示す。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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固-固界面  ,  太陽電池  ,  金属-絶縁体-半導体構造  ,  有機化合物の薄膜  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
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