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J-GLOBAL ID：202202294981154154   整理番号：22A0756669

BSD機能内蔵600V耐圧ハーフブリッジドライバHVIC“M81777FP”

Built-in BootStrap Diode Function Half-bridge Driver High Voltage (600V) Integrated Circuit “M81777FP”

著者 (2件)： 羽生洋 (三菱電機 パワーデバイス製作所) ,  佐野昇平 (メルコセミコンダクタエンジニアリング)
資料名： 三菱電機技報
巻： 96  号： 2/3  ページ： 156-159  発行年： 2022年03月20日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,地球環境保護基調の高まりで省エネルギーや高効率化のキーパーツであるパワー半導体の環境負荷低減に対する役割は大きくなっている。これを背景にして家電・産業用機器に使用されるモータ駆動システムのインバータ化も年々進展しており,インバータシステムでパワー半導体を駆動するドライバICの需要も拡大している。インバータの大容量化・小型化に向けては,駆動システムも小型化・省部品化に寄与することが重要であり,また課題でもある。三菱電機は今回,MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造を用いることでブートストラップ回路に必要なダイオード機能を内蔵したBSD(BootStrap Diode)機能内蔵600V耐圧ハーフブリッジドライバHVIC“M81777FP”を開発した。これによって,インバータの駆動システムでの省部品化に貢献する。この製品の特長は次のとおりである。(1)BSD機能MOSの駆動方式を最適化することで安定した充電動作を実現。(2)100Ωの電流制限抵抗をBSD機能MOSのオン抵抗で実現。(3)三菱電機独自の高耐圧ウェルMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)構造で,充電動作時のリーク電流抑制や,スイッチング時のノイズに対して,高い誤動作耐量を確保。(4)従来製品との互換性確保によって,インバータシステムの設計簡素化に寄与。(著者抄録)

シソーラス用語： *ブリッジ回路 ,  *集積回路 ,  MOS構造 ,  電子回路 ,  ダイオード ,  MOSFET ,  オン抵抗 ,  絶縁耐力 ,  雑音
準シソーラス用語： スイッチングノイズ ,  *ドライバIC ,  *ハーフブリッジ ,  ブートストラップ回路 ,  高耐圧

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (3件)：

• 清水和宏,ほか: 第2世代分割RESURF構造を適用したHVIC技術, 三菱電機技報, 84, No.4, 228~231 (2010)
• 羽生 洋,ほか: 高信頼性1,200V HVIC ′′M81738FP′′, 三菱電機技報, 88, No.5, 289~292 (2014)
• 羽生 洋,ほか: 普及版600V HVIC ′′M81776FP′′, 三菱電機技報, 94, No.3, 189~192 (2020)

タイトルに関連する用語 (1件)： 耐圧