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J-GLOBAL ID：202202295067200449   整理番号：22A0975047

室温におけるエピタキシャルSb_2Te_2Seトポロジカル絶縁体薄膜におけるヘリシティ依存電流の光熱制御【JST・京大機械翻訳】

Photothermal Control of Helicity-Dependent Current in Epitaxial Sb₂Te₂Se Topological Insulator Thin-Films at Ambient Temperature

著者 (4件)： Roy Samrat (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, West Bengal, India) ,  Manna Subhadip (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, West Bengal, India) ,  Mitra Chiranjib (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, West Bengal, India) ,  Pal Bipul (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, West Bengal, India)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 7  ページ： 9909-9916  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー絶縁体(TI)Sb_2Te_2Seにおけるヘリシティ依存光電流の光学制御を,パルスレーザ蒸着(PLD)により成長させたエピタキシャル薄膜上で室温で研究した。データに適合する理論モデルとの比較は,測定した光電流への異なる寄与を明らかにした。試料法線に関する励起光の入射角(波ベクトル)に対する光電流の依存性の研究は,光電流の異なる成分の起源の同定を助ける。サンプルの2つの反対エッジに入射する光熱勾配の存在における光電流の増強と反転は,独特のスピン-運動量ロック表面状態の存在下で2つの反対円偏光による選択的スピン状態励起により起こる。これらの観察は,PLD成長エピタキシャルTI薄膜が,センサ,スイッチ,およびアクチュエータのような光電子デバイスに対して有望であり,その応答は,周囲条件下で光の入射角と同様に偏光によって制御できる。偏光応答は,デバイス上の入射光ビームを適切に位置決めすることにより光熱効果によって調整できた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 運動量 ,  *エピタクシー ,  光電流 ,  *電流 ,  *薄膜 ,  ベクトル ,  偏光 ,  励起 ,  *光 ,  *ヘリシティ ,  円偏光 ,  温度勾配 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 理論モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トポロジカル絶縁体 ,  ヘリシティ依存光電流 ,  光ガルバノ効果 ,  光子ドラッグ ,  光熱勾配

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  エピタキシャル ,  トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  ヘリシティ